Th10Si2(SnBi)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3296690 · 空间群: P-62m (#189)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10Si2(SnBi)3

MP-ID

mp-3296690

元素数

位点数

密度

10.5518

g/cm³

体积

528.70

Å³

晶胞参数 a

9.6278

晶胞参数 b

9.6278

晶胞参数 c

6.5861

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-62m

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
10.61	8.3379	4.1	(0,1,-1,0)
10.61	8.3379	4.1	(1,0,-1,0)
10.61	8.3379	4.1	(1,-1,0,0)
13.44	6.5861	6.0	(0,0,0,1)
18.43	4.8139	2.0	(1,1,-2,0)
18.43	4.8139	2.0	(1,-2,1,0)
18.43	4.8139	2.0	(2,-1,-1,0)
21.31	4.1690	5.6	(0,2,-2,0)
21.31	4.1690	5.6	(2,0,-2,0)
21.31	4.1690	5.6	(2,-2,0,0)
22.88	3.8864	3.6	(1,1,-2,1)
22.88	3.8864	3.6	(1,-2,1,1)
22.88	3.8864	3.6	(2,-1,-1,1)
25.28	3.5226	1.0	(0,2,-2,1)
25.28	3.5226	1.0	(2,0,-2,1)
25.28	3.5226	1.0	(2,-2,0,1)
27.08	3.2930	43.5	(0,0,0,2)
28.32	3.1514	14.5	(1,2,-3,0)
28.32	3.1514	14.5	(2,1,-3,0)
28.32	3.1514	14.5	(1,-3,2,0)
28.32	3.1514	29.1	(3,-1,-2,0)
28.32	3.1514	14.5	(3,-2,-1,0)
29.16	3.0628	14.7	(0,1,-1,2)
29.16	3.0628	14.7	(1,0,-1,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.74956

eV/atom

能量/原子

-56.41876

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-56.4188

eV/atom

体积/原子

29.37

Å³

c/a 比

0.6841

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0005

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.111

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1679

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.7102

J/mol·K

Ω 参数

28.2091

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.401%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3332

越小混合越稳定

VEC

3.056

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.529

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8425

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfotu

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3296690

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10Si2(SnBi)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3296690, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10Si2(SnBi)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.62777861
_cell_length_b   9.62778964
_cell_length_c   6.58608642
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99981641
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10Si2(SnBi)3
_chemical_formula_sum   'Th10 Si2 Sn3 Bi3'
_cell_volume   528.70272374
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.66667391  0.33333564  0.00384160  1.0
  Th  Th1  1  0.33333144  0.66667464  0.00384165  1.0
  Th  Th2  1  0.33333144  0.66667464  0.49615835  1.0
  Th  Th3  1  0.66667391  0.33333564  0.49615840  1.0
  Th  Th4  1  0.74415221  0.74415729  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.25584111  0.99998869  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  0.00000008  0.25584499  0.75000000  1.0
  Th  Th7  1  0.25633236  0.25634107  0.25000000  1.0
  Th  Th8  1  0.74365507  0.99999454  0.25000000  1.0
  Th  Th9  1  0.00001490  0.74366332  0.25000000  1.0
  Si  Si10  1  0.99999418  0.99999090  0.99915262  1.0
  Si  Si11  1  0.99999418  0.99999090  0.50084738  1.0
  Sn  Sn12  1  0.61072547  0.61074431  0.25000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.38926238  0.99999097  0.25000000  1.0
  Sn  Sn14  1  0.00002124  0.38927384  0.25000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.39149076  0.39149959  0.75000000  1.0
  Bi  Bi16  1  0.60849723  0.99999607  0.75000000  1.0
  Bi  Bi17  1  0.00000816  0.60850297  0.75000000  1.0

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