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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm8Cd3InGa8

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3297091 · 空间群: P4/m (#83)

基础信息

化学式
Tm8Cd3InGa8
MP-ID
mp-3297091
元素数
4
位点数
20
密度
9.0007
g/cm³
体积
435.64
ų
晶胞参数 a
7.1947
Å
晶胞参数 b
7.1947
Å
晶胞参数 c
8.4159
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/m
点群
4/m
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.65180
eV/atom
能量/原子
-23.42201
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.4220
eV/atom
体积/原子
21.78
ų
c/a 比
1.1697

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0326
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000070
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tm · 0.400
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.600
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1674
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.7057
J/mol·K
Ω 参数
2.3730
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.713%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2614
越小混合越稳定
VEC
8.350
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.922
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8421
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3297091
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm8Cd3InGa8 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3297091, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm8Cd3InGa8
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.19468632
_cell_length_b   7.19468632
_cell_length_c   8.41593113
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm8Cd3InGa8
_chemical_formula_sum   'Tm8 Cd3 In1 Ga8'
_cell_volume   435.63814565
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.82814894  0.17272340  0.49998676  1.0
  Tm  Tm1  1  0.17185106  0.82727660  0.49998676  1.0
  Tm  Tm2  1  0.32727660  0.32814894  0.00001324  1.0
  Tm  Tm3  1  0.67272340  0.67185106  0.00001324  1.0
  Tm  Tm4  1  0.67286002  0.67205943  0.50001479  1.0
  Tm  Tm5  1  0.32713998  0.32794057  0.50001479  1.0
  Tm  Tm6  1  0.17205943  0.82713998  0.99998521  1.0
  Tm  Tm7  1  0.82794057  0.17286002  0.99998521  1.0
  Cd  Cd8  1  0.50000000  0.00000000  0.25000000  1.0
  Cd  Cd9  1  0.00000000  0.50000000  0.75000000  1.0
  Cd  Cd10  1  0.50000000  0.00000000  0.75000000  1.0
  In  In11  1  0.00000000  0.50000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.62141265  0.37316066  0.25028279  1.0
  Ga  Ga13  1  0.37858735  0.62683934  0.25028279  1.0
  Ga  Ga14  1  0.12546285  0.12500188  0.75016113  1.0
  Ga  Ga15  1  0.87453715  0.87499812  0.75016113  1.0
  Ga  Ga16  1  0.37499812  0.62546285  0.74983887  1.0
  Ga  Ga17  1  0.62500188  0.37453715  0.74983887  1.0
  Ga  Ga18  1  0.87316066  0.87858735  0.24971721  1.0
  Ga  Ga19  1  0.12683934  0.12141265  0.24971721  1.0
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