Th10GaSn6As

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3297653 · 空间群: P-31m (#162)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10GaSn6As

MP-ID

mp-3297653

元素数

位点数

密度

10.0560

g/cm³

体积

524.66

Å³

晶胞参数 a

9.5970

晶胞参数 b

9.5970

晶胞参数 c

6.5778

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-31m

点群

-3m

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
18.49	4.7985	2.4	(2,-1,-1,0)
21.38	4.1556	4.6	(2,0,-2,0)
21.38	4.1556	2.3	(0,2,-2,0)
22.94	3.8766	11.0	(2,-1,-1,1)
27.11	3.2889	8.1	(0,0,0,2)
28.41	3.1414	19.4	(3,-1,-2,0)
29.20	3.0582	11.4	(1,0,-1,2)
31.56	2.8347	76.5	(3,-1,-2,1)
32.31	2.7704	71.6	(3,0,-3,0)
33.02	2.7129	100.0	(2,-1,-1,2)
37.49	2.3992	1.8	(4,-2,-2,0)
41.51	2.1754	9.7	(4,-1,-3,1)
43.56	2.0778	4.0	(4,0,-4,0)
45.48	1.9943	1.9	(2,-1,-1,3)
46.87	1.9383	29.7	(4,-2,-2,2)
48.21	1.8877	4.2	(4,-1,-3,2)
49.79	1.8313	17.5	(5,-2,-3,1)
50.31	1.8137	5.1	(5,-1,-4,0)
50.31	1.8137	5.1	(4,-5,1,0)
50.78	1.7980	20.9	(3,-1,-2,3)
52.06	1.7566	15.2	(4,0,-4,2)
55.91	1.6445	10.5	(0,0,0,4)
57.63	1.5995	2.9	(6,-3,-3,0)
58.06	1.5887	1.8	(4,-1,-3,3)

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能量属性

形成能/原子

-0.77665

eV/atom

能量/原子

-51.29777

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-51.2978

eV/atom

体积/原子

29.15

Å³

c/a 比

0.6854

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0035

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0139

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.4296

J/mol·K

Ω 参数

161.6810

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.849%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3381

越小混合越稳定

VEC

2.778

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.074

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7314

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfqev

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3297653

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10GaSn6As were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3297653, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10GaSn6As
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.59697525
_cell_length_b   9.59697442
_cell_length_c   6.57781117
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999941
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10GaSn6As
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga1 Sn6 As1'
_cell_volume   524.66337457
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00000000  0.73780991  0.74933449  1.0
  Th  Th1  1  0.26219009  0.26219009  0.74933449  1.0
  Th  Th2  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Th  Th3  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Th  Th4  1  0.73780991  0.73780991  0.25066551  1.0
  Th  Th5  1  0.73780991  1.00000000  0.74933449  1.0
  Th  Th6  1  1.00000000  0.26219009  0.25066551  1.0
  Th  Th7  1  0.26219009  0.00000000  0.25066551  1.0
  Th  Th8  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Th  Th9  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Sn  Sn11  1  0.61284145  0.61284145  0.75227851  1.0
  Sn  Sn12  1  0.00000000  0.38715855  0.75227851  1.0
  Sn  Sn13  1  0.38715855  0.00000000  0.75227851  1.0
  Sn  Sn14  1  0.61284145  0.00000000  0.24772149  1.0
  Sn  Sn15  1  0.38715855  0.38715855  0.24772149  1.0
  Sn  Sn16  1  0.00000000  0.61284145  0.24772149  1.0
  As  As17  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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