Th10Si2Sn5Bi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3297741 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10Si2Sn5Bi

MP-ID

mp-3297741

元素数

位点数

密度

10.0567

g/cm³

体积

524.93

Å³

晶胞参数 a

9.6011

晶胞参数 b

9.6011

晶胞参数 c

6.5826

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.11

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
10.65	8.3058	5.3	(1,0,-1,0)
18.51	4.7928	1.0	(1,1,-2,0)
21.36	4.1596	3.0	(2,-2,0,0)
21.40	4.1529	10.9	(2,0,-2,0)
22.93	3.8787	8.3	(2,-1,-1,1)
22.95	3.8746	3.1	(1,1,-2,1)
27.09	3.2913	17.8	(0,0,0,2)
28.39	3.1436	18.4	(3,-2,-1,0)
28.41	3.1415	13.6	(3,-1,-2,0)
28.44	3.1379	13.0	(2,1,-3,0)
29.18	3.0605	11.7	(1,-1,0,2)
29.19	3.0598	14.5	(1,0,-1,2)
31.54	2.8368	39.4	(3,-2,-1,1)
31.56	2.8352	51.2	(3,-1,-2,1)
31.59	2.8325	50.9	(2,1,-3,1)
32.28	2.7731	34.5	(3,-3,0,0)
32.34	2.7686	63.6	(3,0,-3,0)
33.00	2.7146	100.0	(2,-1,-1,2)
33.02	2.7132	45.0	(1,1,-2,2)
34.76	2.5810	1.5	(2,-2,0,2)
34.78	2.5794	2.8	(2,0,-2,2)
39.98	2.2550	1.7	(4,-2,-2,1)
41.48	2.1772	5.7	(4,-3,-1,1)
41.51	2.1753	6.0	(4,-1,-3,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.73426

eV/atom

能量/原子

-52.65278

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-52.6528

eV/atom

体积/原子

29.16

Å³

c/a 比

0.6856

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0814

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000160

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.111

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0871

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.0379

J/mol·K

Ω 参数

14.9329

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.737%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3251

越小混合越稳定

VEC

2.944

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.928

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7842

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfqif

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3297741

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10Si2Sn5Bi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3297741, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10Si2Sn5Bi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.60104514
_cell_length_b   9.60104556
_cell_length_c   6.58258369
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.10636861
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10Si2Sn5Bi
_chemical_formula_sum   'Th10 Si2 Sn5 Bi1'
_cell_volume   524.92537882
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.66916676  0.33252717  0.00149173  1.0
  Th  Th1  1  0.33252717  0.66916676  0.00149173  1.0
  Th  Th2  1  0.33252717  0.66916676  0.49850827  1.0
  Th  Th3  1  0.66916676  0.33252717  0.49850827  1.0
  Th  Th4  1  0.74502916  0.74502916  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.25528427  0.99623506  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  0.99623506  0.25528427  0.75000000  1.0
  Th  Th7  1  0.25610095  0.25610095  0.25000000  1.0
  Th  Th8  1  0.74297515  0.99974991  0.25000000  1.0
  Th  Th9  1  0.99974991  0.74297515  0.25000000  1.0
  Si  Si10  1  0.00074774  0.00074774  0.99968469  1.0
  Si  Si11  1  0.00074774  0.00074774  0.50031531  1.0
  Sn  Sn12  1  0.60905226  0.99935456  0.75000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.99935456  0.60905226  0.75000000  1.0
  Sn  Sn14  1  0.61042703  0.61042703  0.25000000  1.0
  Sn  Sn15  1  0.39005992  0.00050673  0.25000000  1.0
  Sn  Sn16  1  0.00050673  0.39005992  0.25000000  1.0
  Bi  Bi17  1  0.39033965  0.39033965  0.75000000  1.0

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