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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho4Ga20Tc5Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3298115 · 空间群: P4/m (#83)

Materials Project API

基础信息

化学式
Ho4Ga20Tc5Os
MP-ID
mp-3298115
元素数
4
位点数
30
密度
9.0235
g/cm³
体积
503.20
ų
晶胞参数 a
8.9352
Å
晶胞参数 b
8.9352
Å
晶胞参数 c
6.3028
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/m
点群
4/m
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.47768
eV/atom
能量/原子
-18.58399
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-18.5840
eV/atom
体积/原子
16.77
ų
c/a 比
0.7054

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0100
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.667
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.333
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9510
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
7.9063
J/mol·K
Ω 参数
75.5356
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
9.689%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2210
越小混合越稳定
VEC
4.567
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.099
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6860
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）
aaahfqwp

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3298115
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4Ga20Tc5Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3298115, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据 
# generated using pymatgen
data_Ho4Ga20Tc5Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.93515703
_cell_length_b   8.93515703
_cell_length_c   6.30282065
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4Ga20Tc5Os
_chemical_formula_sum   'Ho4 Ga20 Tc5 Os1'
_cell_volume   503.19848866
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.18212873  0.31665708  0.00000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.68334292  0.18212873  0.00000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.81787127  0.68334292  0.00000000  1.0
  Ho  Ho3  1  0.31665708  0.81787127  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.50000000  0.00000000  0.28913301  1.0
  Ga  Ga5  1  0.50000000  0.00000000  0.71086699  1.0
  Ga  Ga6  1  0.29466268  0.55971871  0.70702786  1.0
  Ga  Ga7  1  0.00000000  0.50000000  0.28913301  1.0
  Ga  Ga8  1  0.00000000  0.50000000  0.71086699  1.0
  Ga  Ga9  1  0.05945909  0.79502187  0.70657981  1.0
  Ga  Ga10  1  0.20497813  0.05945909  0.29342019  1.0
  Ga  Ga11  1  0.05945909  0.79502187  0.29342019  1.0
  Ga  Ga12  1  0.70533732  0.44028129  0.70702786  1.0
  Ga  Ga13  1  0.20497813  0.05945909  0.70657981  1.0
  Ga  Ga14  1  0.94054091  0.20497813  0.70657981  1.0
  Ga  Ga15  1  0.70533732  0.44028129  0.29297214  1.0
  Ga  Ga16  1  0.55971871  0.70533732  0.29297214  1.0
  Ga  Ga17  1  0.94054091  0.20497813  0.29342019  1.0
  Ga  Ga18  1  0.55971871  0.70533732  0.70702786  1.0
  Ga  Ga19  1  0.79502187  0.94054091  0.29342019  1.0
  Ga  Ga20  1  0.44028129  0.29466268  0.70702786  1.0
  Ga  Ga21  1  0.79502187  0.94054091  0.70657981  1.0
  Ga  Ga22  1  0.44028129  0.29466268  0.29297214  1.0
  Ga  Ga23  1  0.29466268  0.55971871  0.29297214  1.0
  Tc  Tc24  1  0.17996494  0.32183109  0.50000000  1.0
  Tc  Tc25  1  0.32183109  0.82003506  0.50000000  1.0
  Tc  Tc26  1  0.82003506  0.67816891  0.50000000  1.0
  Tc  Tc27  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Tc  Tc28  1  0.67816891  0.17996494  0.50000000  1.0
  Os  Os29  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
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