HoZn(GaNi)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3298403 · 空间群: P-62m (#189)

Materials Project API

基础信息

化学式

HoZn(GaNi)2

MP-ID

mp-3298403

元素数

位点数

密度

8.8779

g/cm³

体积

273.37

Å³

晶胞参数 a

4.0358

晶胞参数 b

8.8435

晶胞参数 c

8.8440

α 角

120.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

P-62m

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
20.08	4.4220	5.5	(0,1,-1,1)
20.08	4.4217	2.7	(0,2,-2,-1)
23.23	3.8296	1.4	(0,0,0,2)
23.23	3.8294	2.7	(0,2,-2,0)
24.94	3.5705	14.7	(1,0,-1,1)
24.94	3.5705	29.4	(1,1,-2,0)
29.98	2.9810	11.3	(1,1,-2,1)
29.98	2.9809	5.6	(1,2,-3,-1)
32.22	2.7780	42.6	(1,0,-1,2)
32.22	2.7779	85.3	(1,2,-3,0)
35.15	2.5531	30.3	(0,0,0,3)
35.15	2.5529	60.6	(0,3,-3,0)
38.26	2.3523	54.7	(1,1,-2,2)
38.26	2.3523	54.7	(1,2,-3,1)
38.26	2.3522	54.7	(1,3,-4,-1)
40.81	2.2110	38.5	(0,2,-2,2)
40.81	2.2110	38.5	(0,2,-2,-4)
40.82	2.2109	38.5	(0,4,-4,-2)
41.87	2.1576	50.0	(1,0,-1,3)
41.87	2.1575	100.0	(1,3,-4,0)
44.92	2.0179	91.9	(2,0,-2,0)
46.85	1.9391	43.5	(1,2,-3,2)
46.86	1.9390	21.8	(1,4,-5,-2)
47.48	1.9148	4.3	(0,0,0,4)

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能量属性

形成能/原子

-0.56450

eV/atom

能量/原子

-15.33799

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-15.3380

eV/atom

体积/原子

15.19

Å³

c/a 比

2.1914

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0014

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.333

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3297

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

11.0548

J/mol·K

Ω 参数

0.8738

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.548%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2357

越小混合越稳定

VEC

8.167

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-13.681

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9591

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfrhr

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3298403

参考引用

The crystal structure and related material properties of HoZn(GaNi)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3298403, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HoZn(GaNi)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.03584299
_cell_length_b   8.84346345
_cell_length_c   8.84398705
_cell_angle_alpha   119.99803692
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoZn(GaNi)2
_chemical_formula_sum   'Ho3 Zn3 Ga6 Ni6'
_cell_volume   273.36566636
_cell_formula_units_Z   3
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.50000000  0.33329661  0.66664529  1.0
  Ho  Ho1  1  0.50000000  0.66665132  0.33335471  1.0
  Ho  Ho2  1  0.00000000  0.99996028  0.00000000  1.0
  Zn  Zn3  1  0.50000000  0.70913317  0.00000000  1.0
  Zn  Zn4  1  0.50000000  0.29085641  0.29086344  1.0
  Zn  Zn5  1  0.50000000  0.99999197  0.70913656  1.0
  Ga  Ga6  1  0.00000000  0.50940395  1.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.00000000  0.49057381  0.49056117  1.0
  Ga  Ga8  1  0.00000000  0.00001264  0.50943883  1.0
  Ga  Ga9  1  0.50000000  0.29089997  1.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.50000000  0.70911527  0.70911521  1.0
  Ga  Ga11  1  0.50000000  0.99999905  0.29088479  1.0
  Ni  Ni12  1  0.00000000  0.17694377  0.36785009  1.0
  Ni  Ni13  1  0.00000000  0.19091828  0.82307005  1.0
  Ni  Ni14  1  0.00000000  0.63212424  0.80904689  1.0
  Ni  Ni15  1  0.00000000  0.80909368  0.63214991  1.0
  Ni  Ni16  1  0.00000000  0.36784823  0.17692995  1.0
  Ni  Ni17  1  0.00000000  0.82307635  0.19095311  1.0

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