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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th2Ga9IrOs2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3298958 · 空间群: Cmcm (#63)

Materials Project API

基础信息

化学式
Th2Ga9IrOs2
MP-ID
mp-3298958
元素数
4
位点数
28
密度
11.4645
g/cm³
体积
482.11
ų
晶胞参数 a
7.6261
Å
晶胞参数 b
7.6261
Å
晶胞参数 c
9.5674
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.95
°
空间群
Cmcm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.57595
eV/atom
能量/原子
-29.73776
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-29.7378
eV/atom
体积/原子
17.22
ų
c/a 比
1.2546

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0011
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.643
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.357
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0285
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.5511
J/mol·K
Ω 参数
7.8400
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.109%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2639
越小混合越稳定
VEC
4.000
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.270
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7419
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）
aaahfsda

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3298958
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2Ga9IrOs2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3298958, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据 
# generated using pymatgen
data_Th2Ga9IrOs2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.62608185
_cell_length_b   7.62608960
_cell_length_c   9.56737390
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.95041337
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2Ga9IrOs2
_chemical_formula_sum   'Th4 Ga18 Ir2 Os4'
_cell_volume   482.10710399
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.99648532  0.66468228  0.25000000  1.0
  Th  Th1  1  0.00351468  0.33531772  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.66468128  0.99648332  0.25000000  1.0
  Th  Th3  1  0.33531872  0.00351668  0.75000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.13293875  0.13293975  0.25000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.86706125  0.86706025  0.75000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.00747310  0.33419987  0.07587674  1.0
  Ga  Ga7  1  0.99252690  0.66580013  0.92412326  1.0
  Ga  Ga8  1  0.99252690  0.66580013  0.57587674  1.0
  Ga  Ga9  1  0.33420087  0.00747310  0.42412326  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00747310  0.33419987  0.42412326  1.0
  Ga  Ga11  1  0.66579913  0.99252690  0.57587674  1.0
  Ga  Ga12  1  0.66579913  0.99252690  0.92412326  1.0
  Ga  Ga13  1  0.33420087  0.00747310  0.07587674  1.0
  Ga  Ga14  1  0.34139489  0.34139489  0.56154815  1.0
  Ga  Ga15  1  0.65860511  0.65860511  0.43845185  1.0
  Ga  Ga16  1  0.65860511  0.65860511  0.06154815  1.0
  Ga  Ga17  1  0.34139489  0.34139489  0.93845185  1.0
  Ga  Ga18  1  0.33590828  0.54077529  0.25000000  1.0
  Ga  Ga19  1  0.66409172  0.45922471  0.75000000  1.0
  Ga  Ga20  1  0.54077529  0.33590828  0.25000000  1.0
  Ga  Ga21  1  0.45922471  0.66409172  0.75000000  1.0
  Ir  Ir22  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ir  Ir23  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Os  Os24  1  0.67349914  0.32650086  0.00000000  1.0
  Os  Os25  1  0.32650086  0.67349914  0.00000000  1.0
  Os  Os26  1  0.32650086  0.67349914  0.50000000  1.0
  Os  Os27  1  0.67349914  0.32650086  0.50000000  1.0
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