Th10GaSiSn6

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3299129 · 空间群: P-31m (#162)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10GaSiSn6

MP-ID

mp-3299129

元素数

位点数

密度

9.9182

g/cm³

体积

524.11

Å³

晶胞参数 a

9.6025

晶胞参数 b

9.6025

晶胞参数 c

6.5633

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-31m

点群

-3m

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
18.48	4.8013	1.6	(2,-1,-1,0)
21.37	4.1580	9.5	(2,0,-2,0)
22.95	3.8751	11.2	(2,-1,-1,1)
27.17	3.2817	9.4	(0,0,0,2)
28.40	3.1432	12.2	(2,-3,1,0)
28.40	3.1432	12.2	(3,-1,-2,0)
29.26	3.0526	15.0	(1,0,-1,2)
31.56	2.8348	27.8	(2,-3,1,1)
31.56	2.8348	55.5	(3,-1,-2,1)
32.29	2.7720	47.7	(3,-3,0,0)
32.29	2.7720	23.9	(3,0,-3,0)
33.06	2.7093	100.0	(2,-1,-1,2)
34.83	2.5760	1.2	(2,0,-2,2)
37.46	2.4006	1.0	(4,-2,-2,0)
41.50	2.1760	4.7	(3,-4,1,1)
41.50	2.1760	4.7	(4,-1,-3,1)
43.53	2.0790	2.6	(4,-4,0,0)
43.53	2.0790	1.3	(4,0,-4,0)
45.57	1.9908	1.9	(2,-1,-1,3)
46.89	1.9375	10.0	(2,-4,2,2)
46.89	1.9375	20.0	(4,-2,-2,2)
47.67	1.9078	1.5	(5,-2,-3,0)
48.23	1.8870	2.1	(3,-4,1,2)
48.23	1.8870	4.3	(4,-1,-3,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.69009

eV/atom

能量/原子

-50.88155

eV/atom

凸包距离

0.0021

eV/atom

未修正能量

-50.8816

eV/atom

体积/原子

29.12

Å³

c/a 比

0.6835

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.8905

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.001700

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.056

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0139

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.4296

J/mol·K

Ω 参数

18.1672

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.672%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3167

越小混合越稳定

VEC

2.833

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.675

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7314

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfsjp

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3299129

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10GaSiSn6 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3299129, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10GaSiSn6
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.60249477
_cell_length_b   9.60249649
_cell_length_c   6.56331045
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000442
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10GaSiSn6
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga1 Si1 Sn6'
_cell_volume   524.10921518
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.73965951  0.73965951  0.75485190  1.0
  Th  Th1  1  0.26034049  1.00000000  0.75485190  1.0
  Th  Th2  1  0.00000000  0.26034049  0.75485190  1.0
  Th  Th3  1  0.26034049  0.26034049  0.24514810  1.0
  Th  Th4  1  0.73965951  0.00000000  0.24514810  1.0
  Th  Th5  1  1.00000000  0.73965951  0.24514810  1.0
  Th  Th6  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Th  Th7  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Th  Th8  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Th  Th9  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Si  Si11  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Sn  Sn12  1  0.38609026  0.38609026  0.74719001  1.0
  Sn  Sn13  1  0.61390974  0.00000000  0.74719001  1.0
  Sn  Sn14  1  1.00000000  0.61390974  0.74719001  1.0
  Sn  Sn15  1  0.61390974  0.61390974  0.25280999  1.0
  Sn  Sn16  1  0.38609026  1.00000000  0.25280999  1.0
  Sn  Sn17  1  0.00000000  0.38609026  0.25280999  1.0

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