Th4Ga18(IrOs)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3299190 · 空间群: C2 (#5)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th4Ga18(IrOs)3

MP-ID

mp-3299190

元素数

位点数

密度

11.4953

g/cm³

体积

481.11

Å³

晶胞参数 a

7.6129

晶胞参数 b

7.6129

晶胞参数 c

9.5184

α 角

90.04

β 角

90.04

γ 角

119.29

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.61748

eV/atom

能量/原子

-29.75693

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-29.7569

eV/atom

体积/原子

17.18

Å³

c/a 比

1.2503

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0025

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.643

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.357

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0406

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.6520

J/mol·K

Ω 参数

4.4741

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.097%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2639

越小混合越稳定

VEC

4.036

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-2.213

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7507

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfsly

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3299190

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th4Ga18(IrOs)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3299190, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th4Ga18(IrOs)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.61284890
_cell_length_b   7.61284874
_cell_length_c   9.51841103
_cell_angle_alpha   90.03614414
_cell_angle_beta   90.03614686
_cell_angle_gamma   119.29282395
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th4Ga18(IrOs)3
_chemical_formula_sum   'Th4 Ga18 Ir3 Os3'
_cell_volume   481.10517827
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.99822309  0.67501009  0.24870158  1.0
  Th  Th1  1  0.99925642  0.32402564  0.75091746  1.0
  Th  Th2  1  0.67597436  0.00074358  0.24908254  1.0
  Th  Th3  1  0.32498991  0.00177691  0.75129842  1.0
  Ga  Ga4  1  0.13667014  0.13782856  0.25016043  1.0
  Ga  Ga5  1  0.86217144  0.86332986  0.74983957  1.0
  Ga  Ga6  1  0.00760117  0.33681162  0.07767048  1.0
  Ga  Ga7  1  0.99099679  0.66204228  0.92139383  1.0
  Ga  Ga8  1  0.99262943  0.66350703  0.57858719  1.0
  Ga  Ga9  1  0.33649297  0.00737057  0.42141281  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00779784  0.33733181  0.42215256  1.0
  Ga  Ga11  1  0.66266819  0.99220216  0.57784744  1.0
  Ga  Ga12  1  0.66318838  0.99239883  0.92232952  1.0
  Ga  Ga13  1  0.33795772  0.00900321  0.07860617  1.0
  Ga  Ga14  1  0.33538008  0.33554560  0.55820349  1.0
  Ga  Ga15  1  0.66445440  0.66461992  0.44179651  1.0
  Ga  Ga16  1  0.66433340  0.66212269  0.05662385  1.0
  Ga  Ga17  1  0.33787731  0.33566660  0.94337615  1.0
  Ga  Ga18  1  0.34268411  0.54553098  0.24998742  1.0
  Ga  Ga19  1  0.65702913  0.45413695  0.75083049  1.0
  Ga  Ga20  1  0.54586305  0.34297087  0.24916951  1.0
  Ga  Ga21  1  0.45446902  0.65731589  0.75001258  1.0
  Ir  Ir22  1  0.32761004  0.67238996  0.00000000  1.0
  Ir  Ir23  1  0.32774117  0.67225883  0.50000000  1.0
  Ir  Ir24  1  0.67205734  0.32794266  0.50000000  1.0
  Os  Os25  1  0.67354370  0.32645630  1.00000000  1.0
  Os  Os26  1  0.00019835  0.99980165  1.00000000  1.0
  Os  Os27  1  0.00014204  0.99985796  0.50000000  1.0

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