Ho12CdInSi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3299463 · 空间群: Immm (#71)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho12CdInSi4

MP-ID

mp-3299463

元素数

位点数

密度

8.3422

g/cm³

体积

461.55

Å³

晶胞参数 a

8.4438

晶胞参数 b

8.4438

晶胞参数 c

8.4438

α 角

111.82

β 角

111.44

γ 角

105.23

空间群

Immm

点群

mmm

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.20	6.7093	1.9	(0,0,1)
18.75	4.7326	1.2	(1,-1,-1)
25.62	3.4774	19.7	(2,0,-2)
26.57	3.3546	6.9	(0,0,2)
27.74	3.2164	13.2	(1,2,-2)
27.74	3.2164	13.2	(2,1,-1)
27.75	3.2146	3.5	(2,1,-2)
29.49	3.0291	12.4	(1,-2,2)
29.49	3.0291	12.4	(2,-1,1)
29.72	3.0064	5.1	(1,-1,2)
29.84	2.9946	31.9	(1,-1,-2)
31.88	2.8071	100.0	(3,-1,-1)
31.88	2.8071	33.3	(1,1,1)
33.69	2.6602	39.0	(2,1,-3)
34.59	2.5934	23.8	(0,2,-3)
34.59	2.5934	23.8	(2,0,1)
34.69	2.5858	1.5	(1,-3,0)
35.01	2.5633	22.4	(2,2,-2)
35.18	2.5512	35.3	(0,1,-3)
35.24	2.5467	10.8	(1,0,-3)
37.56	2.3945	1.8	(2,2,-3)
37.56	2.3945	5.3	(3,1,-2)
37.83	2.3779	9.7	(2,-2,2)
38.03	2.3663	28.3	(2,-2,-2)

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能量属性

形成能/原子

-0.58828

eV/atom

能量/原子

-26.83021

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-26.8302

eV/atom

体积/原子

25.64

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

1.0190

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.002210

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.667

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.333

间隙分数

0.222

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9257

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

7.6963

J/mol·K

Ω 参数

14.2392

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

14.865%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2938

越小混合越稳定

VEC

9.056

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.858

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.6678

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfswl

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3299463

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho12CdInSi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3299463, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho12CdInSi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.44380343
_cell_length_b   8.44380440
_cell_length_c   8.44380489
_cell_angle_alpha   111.82255431
_cell_angle_beta   111.44010700
_cell_angle_gamma   105.23260883
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho12CdInSi4
_chemical_formula_sum   'Ho12 Cd1 In1 Si4'
_cell_volume   461.54960939
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.31982431  0.61713257  0.29730625  1.0
  Ho  Ho1  1  0.68017569  0.38286743  0.70269375  1.0
  Ho  Ho2  1  0.31982431  0.02251706  0.70269375  1.0
  Ho  Ho3  1  0.68017569  0.97748294  0.29730625  1.0
  Ho  Ho4  1  0.18209544  0.27508054  0.45717498  1.0
  Ho  Ho5  1  0.81790456  0.72491946  0.54282502  1.0
  Ho  Ho6  1  0.18209544  0.72491946  0.90701490  1.0
  Ho  Ho7  1  0.81790456  0.27508054  0.09298510  1.0
  Ho  Ho8  1  0.44383196  0.24208194  0.20175002  1.0
  Ho  Ho9  1  0.55616804  0.75791806  0.79824998  1.0
  Ho  Ho10  1  0.04033192  0.24208194  0.79824998  1.0
  Ho  Ho11  1  0.95966808  0.75791806  0.20175002  1.0
  Cd  Cd12  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  In  In13  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Si  Si14  1  0.11643430  0.61643430  0.50000000  1.0
  Si  Si15  1  0.88356570  0.38356570  0.50000000  1.0
  Si  Si16  1  0.36079836  1.00000000  0.36079836  1.0
  Si  Si17  1  0.63920164  0.00000000  0.63920164  1.0

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