Ta3V2Ga3N

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3299492 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ta3V2Ga3N

MP-ID

mp-3299492

元素数

位点数

密度

11.5027

g/cm³

体积

250.58

Å³

晶胞参数 a

7.5494

晶胞参数 b

7.5494

晶胞参数 c

5.0768

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mcm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.54	6.5380	15.0	(1,0,-1,0)
13.54	6.5380	7.5	(0,1,-1,0)
23.57	3.7747	6.0	(2,-1,-1,0)
29.49	3.0292	16.5	(2,-1,-1,1)
35.36	2.5384	21.6	(0,0,0,2)
36.36	2.4711	7.0	(3,-1,-2,0)
36.36	2.4711	13.9	(2,1,-3,0)
38.03	2.3663	9.8	(1,0,-1,2)
40.60	2.2219	100.0	(3,-1,-2,1)
41.43	2.1793	7.9	(3,0,-3,0)
42.94	2.1064	22.0	(2,-1,-1,2)
51.62	1.7707	8.2	(3,-1,-2,2)
51.67	1.7691	4.1	(4,-2,-2,1)
53.67	1.7077	1.9	(4,-1,-3,1)
56.28	1.6345	6.0	(4,0,-4,0)
56.28	1.6345	3.0	(0,4,-4,0)
59.90	1.5442	2.4	(2,-1,-1,3)
61.19	1.5146	1.5	(4,-2,-2,2)
61.19	1.5146	3.0	(2,2,-4,2)
64.82	1.4385	8.7	(5,-2,-3,1)
65.42	1.4267	3.8	(5,-1,-4,0)
65.42	1.4267	1.9	(1,4,-5,0)
67.03	1.3963	22.8	(3,-1,-2,3)
68.25	1.3743	13.6	(4,0,-4,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.61461

eV/atom

能量/原子

-24.77147

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-24.7715

eV/atom

体积/原子

13.92

Å³

c/a 比

0.6725

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ta · 0.333

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.111

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

0.4949

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

15.739%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.4553

越小混合越稳定

VEC

4.333

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-37.206

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfsxo

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3299492

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta3V2Ga3N were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3299492, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ta3V2Ga3N
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.54940619
_cell_length_b   7.54940566
_cell_length_c   5.07683576
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000234
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta3V2Ga3N
_chemical_formula_sum   'Ta6 V4 Ga6 N2'
_cell_volume   250.58166490
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.23572522  0.00000000  0.25000000  1.0
  Ta  Ta1  1  0.76427478  0.00000000  0.75000000  1.0
  Ta  Ta2  1  0.00000000  0.23572522  0.25000000  1.0
  Ta  Ta3  1  1.00000000  0.76427478  0.75000000  1.0
  Ta  Ta4  1  0.76427478  0.76427478  0.25000000  1.0
  Ta  Ta5  1  0.23572522  0.23572522  0.75000000  1.0
  V  V6  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  V  V7  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  V  V8  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  V  V9  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.58710269  0.00000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.41289731  0.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga12  1  1.00000000  0.58710269  0.25000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.00000000  0.41289731  0.75000000  1.0
  Ga  Ga14  1  0.41289731  0.41289731  0.25000000  1.0
  Ga  Ga15  1  0.58710269  0.58710269  0.75000000  1.0
  N  N16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  N  N17  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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