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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb2Ga5TcIr2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3299850 · 空间群: Ibam (#72)

基础信息

化学式
Tb2Ga5TcIr2
MP-ID
mp-3299850
元素数
4
位点数
20
密度
10.6886
g/cm³
体积
356.98
ų
晶胞参数 a
8.6204
Å
晶胞参数 b
8.6204
Å
晶胞参数 c
8.6204
Å
α 角
142.61
°
β 角
108.99
°
γ 角
83.12
°
空间群
Ibam
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.19 7.9101 15.8 (0,1,-1)
13.73 6.4505 2.3 (1,1,-1)
17.72 5.0066 3.2 (1,-1,1)
22.50 3.9514 26.1 (1,2,-2)
24.97 3.5660 13.0 (1,-2,1)
27.66 3.2253 25.6 (2,2,-2)
31.85 2.8093 1.1 (0,3,-2)
32.40 2.7634 21.9 (1,-1,-1)
33.04 2.7114 29.2 (1,3,-3)
33.39 2.6837 1.5 (1,3,-2)
33.39 2.6837 1.5 (2,2,-3)
34.00 2.6367 7.3 (0,3,-3)
34.33 2.6123 100.0 (1,-3,2)
34.38 2.6088 15.7 (1,0,-2)
35.34 2.5401 3.8 (0,2,0)
35.87 2.5033 7.1 (2,-2,2)
35.94 2.4986 1.8 (2,3,-3)
37.16 2.4194 17.2 (2,-2,0)
37.16 2.4194 17.2 (0,0,2)
39.79 2.2653 1.6 (3,-1,-1)
39.81 2.2646 34.9 (0,3,-1)
40.16 2.2455 19.4 (2,-3,2)
40.16 2.2455 19.4 (2,-1,2)
42.02 2.1502 12.2 (3,3,-3)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.75776
eV/atom
能量/原子
-25.79277
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.7928
eV/atom
体积/原子
17.85
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0002
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2206
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.1481
J/mol·K
Ω 参数
3.5159
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.107%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3592
越小混合越稳定
VEC
5.600
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.660
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8805
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3299850
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb2Ga5TcIr2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3299850, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb2Ga5TcIr2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.62041157
_cell_length_b   8.62041250
_cell_length_c   8.62041169
_cell_angle_alpha   142.60566012
_cell_angle_beta   108.98882150
_cell_angle_gamma   83.11607578
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb2Ga5TcIr2
_chemical_formula_sum   'Tb4 Ga10 Tc2 Ir4'
_cell_volume   356.97824023
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.41387953  0.64018767  0.77369286  1.0
  Tb  Tb1  1  0.58612047  0.35981233  0.22630714  1.0
  Tb  Tb2  1  0.13350620  0.85981233  0.27369286  1.0
  Tb  Tb3  1  0.86649380  0.14018767  0.72630714  1.0
  Ga  Ga4  1  0.72836267  0.91075069  0.81761398  1.0
  Ga  Ga5  1  0.27163733  0.08924931  0.18238602  1.0
  Ga  Ga6  1  0.90686328  0.58924931  0.31761398  1.0
  Ga  Ga7  1  0.09313672  0.41075069  0.68238602  1.0
  Ga  Ga8  1  0.20187615  0.95187615  0.75000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.79812385  0.54812385  0.75000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.79812385  0.04812385  0.25000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.20187615  0.45187615  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.50000000  0.75000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.50000000  0.25000000  0.75000000  1.0
  Tc  Tc14  1  0.00000000  0.75000000  0.75000000  1.0
  Tc  Tc15  1  0.00000000  0.25000000  0.25000000  1.0
  Ir  Ir16  1  0.43703595  0.84898085  0.58805410  1.0
  Ir  Ir17  1  0.56296405  0.15101915  0.41194590  1.0
  Ir  Ir18  1  0.73907325  0.65101915  0.08805410  1.0
  Ir  Ir19  1  0.26092675  0.34898085  0.91194590  1.0
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