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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho4Si10(OsPt)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3299909 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Ho4Si10(OsPt)3
MP-ID
mp-3299909
元素数
4
位点数
20
密度
10.4839
g/cm³
体积
332.07
ų
晶胞参数 a
8.0880
Å
晶胞参数 b
8.1120
Å
晶胞参数 c
8.1120
Å
α 角
137.37
°
β 角
105.01
°
γ 角
90.34
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
15.52 5.7103 4.8 (1,1,-1)
23.80 3.7381 6.7 (0,2,-2)
23.89 3.7254 7.1 (2,0,0)
24.78 3.5936 19.8 (1,-2,1)
24.82 3.5879 19.3 (2,-1,0)
25.05 3.5555 35.7 (1,2,-2)
25.10 3.5473 36.7 (2,1,-1)
28.23 3.1614 19.0 (1,-2,2)
28.28 3.1557 18.5 (2,-1,1)
30.31 2.9488 34.6 (1,-1,-1)
31.33 2.8552 28.4 (2,2,-2)
32.64 2.7431 28.2 (1,0,-2)
32.66 2.7419 29.0 (2,-1,-1)
33.35 2.6868 1.6 (0,3,-2)
33.44 2.6797 1.3 (3,0,-1)
34.22 2.6201 11.8 (0,2,0)
34.94 2.5682 78.8 (1,-3,2)
35.02 2.5620 79.0 (3,-1,0)
35.47 2.5307 59.0 (2,-2,0)
36.04 2.4921 1.2 (0,3,-3)
36.17 2.4836 1.4 (3,0,0)
36.31 2.4744 27.0 (1,3,-3)
36.42 2.4671 25.6 (3,1,-1)
36.45 2.4651 2.0 (2,-2,2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.94045
eV/atom
能量/原子
-27.57455
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.5746
eV/atom
体积/原子
16.60
ų
c/a 比
1.0030

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0010
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.500
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2376
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.2894
J/mol·K
Ω 参数
2.5147
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.349%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3520
越小混合越稳定
VEC
6.900
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-8.152
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8927
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3299909
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4Si10(OsPt)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3299909, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Si10(OsPt)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.08800363
_cell_length_b   8.11194734
_cell_length_c   8.11194694
_cell_angle_alpha   137.36780938
_cell_angle_beta   105.01464787
_cell_angle_gamma   90.34376278
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4Si10(OsPt)3
_chemical_formula_sum   'Ho4 Si10 Os3 Pt3'
_cell_volume   332.06576870
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.86312334  0.62928816  0.23383518  1.0
  Ho  Ho1  1  0.14082842  0.37082387  0.77000456  1.0
  Ho  Ho2  1  0.39833279  0.13089168  0.26744111  1.0
  Ho  Ho3  1  0.60130006  0.87094828  0.73035277  1.0
  Si  Si4  1  0.49549015  0.75223565  0.25148191  1.0
  Si  Si5  1  0.49549015  0.24400824  0.74325450  1.0
  Si  Si6  1  0.22014033  0.97353847  0.74501555  1.0
  Si  Si7  1  0.77622358  0.52291470  0.74528366  1.0
  Si  Si8  1  0.77622358  0.03093992  0.25330788  1.0
  Si  Si9  1  0.22014033  0.47512478  0.24660186  1.0
  Si  Si10  1  0.05445723  0.89819124  0.15626599  1.0
  Si  Si11  1  0.95329890  0.10249815  0.85080074  1.0
  Si  Si12  1  0.74564750  0.39542342  0.35022408  1.0
  Si  Si13  1  0.25381000  0.60320445  0.65060655  1.0
  Os  Os14  1  0.99996294  0.75017757  0.75184174  1.0
  Os  Os15  1  0.99996294  0.24812120  0.24978537  1.0
  Os  Os16  1  0.24603442  0.85978772  0.38624770  1.0
  Pt  Pt17  1  0.75524440  0.13983231  0.61541009  1.0
  Pt  Pt18  1  0.47534153  0.36002669  0.11531385  1.0
  Pt  Pt19  1  0.52895042  0.64202351  0.88692791  1.0
获取直接链接