Ho10GaSi3Sb4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3299920 · 空间群: Cm (#8)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho10GaSi3Sb4

MP-ID

mp-3299920

元素数

位点数

密度

8.2201

g/cm³

体积

462.67

Å³

晶胞参数 a

8.4731

晶胞参数 b

8.4731

晶胞参数 c

7.8560

α 角

89.73

β 角

89.73

γ 角

124.88

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.78	7.5117	2.2	(1,-1,0,0)
12.74	6.9507	1.1	(1,0,-1,0)
16.96	5.2286	6.1	(1,0,-1,1)
17.11	5.1828	11.8	(1,0,-1,-1)
22.64	3.9278	3.2	(0,0,0,2)
22.68	3.9201	2.8	(1,1,-2,0)
23.69	3.7558	31.9	(2,-2,0,0)
23.99	3.7095	2.3	(1,-2,1,1)
23.99	3.7095	2.3	(2,-1,-1,-1)
25.29	3.5217	55.8	(1,1,-2,1)
25.50	3.4937	54.0	(1,1,-2,-1)
25.59	3.4807	1.7	(1,-1,0,2)
25.63	3.4753	1.7	(2,0,-2,0)
25.96	3.4326	46.5	(1,0,-1,2)
26.16	3.4067	22.7	(0,1,-1,-2)
26.16	3.4067	22.7	(1,0,-1,-2)
27.98	3.1887	2.0	(2,0,-2,1)
28.17	3.1678	1.9	(2,0,-2,-1)
31.02	2.8830	30.5	(1,-2,1,-2)
31.02	2.8830	30.5	(2,-1,-1,2)
31.19	2.8676	29.8	(1,-2,1,2)
31.19	2.8676	29.8	(2,-1,-1,-2)
32.10	2.7886	55.6	(1,1,-2,2)
32.43	2.7609	45.4	(1,1,-2,-2)

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能量属性

形成能/原子

-1.03397

eV/atom

能量/原子

-27.11190

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-27.1119

eV/atom

体积/原子

25.70

Å³

c/a 比

0.9272

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0459

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000100

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.556

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.167

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1200

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.3116

J/mol·K

Ω 参数

6.7500

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

14.368%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3696

越小混合越稳定

VEC

8.056

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-2.017

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8079

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahftoa

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3299920

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho10GaSi3Sb4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3299920, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho10GaSi3Sb4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.47313439
_cell_length_b   8.47313547
_cell_length_c   7.85599874
_cell_angle_alpha   89.73490605
_cell_angle_beta   89.73490725
_cell_angle_gamma   124.87991073
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho10GaSi3Sb4
_chemical_formula_sum   'Ho10 Ga1 Si3 Sb4'
_cell_volume   462.66687270
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.04000242  0.29132975  0.33528739  1.0
  Ho  Ho1  1  0.95980106  0.71087142  0.66452225  1.0
  Ho  Ho2  1  0.46026532  0.20732465  0.83432196  1.0
  Ho  Ho3  1  0.79115027  0.53937727  0.16469484  1.0
  Ho  Ho4  1  0.53937727  0.79115027  0.16469484  1.0
  Ho  Ho5  1  0.20732465  0.46026532  0.83432196  1.0
  Ho  Ho6  1  0.71087142  0.95980106  0.66452225  1.0
  Ho  Ho7  1  0.29132975  0.04000242  0.33528739  1.0
  Ho  Ho8  1  0.99890066  0.99890066  0.99931940  1.0
  Ho  Ho9  1  0.50094252  0.50094252  0.50153333  1.0
  Ga  Ga10  1  0.36756350  0.36756350  0.13094027  1.0
  Si  Si11  1  0.63069716  0.63069716  0.86952766  1.0
  Si  Si12  1  0.13606204  0.13606204  0.63398879  1.0
  Si  Si13  1  0.86581670  0.86581670  0.36488905  1.0
  Sb  Sb14  1  0.79303976  0.20358450  0.00004144  1.0
  Sb  Sb15  1  0.20358450  0.79303976  0.00004144  1.0
  Sb  Sb16  1  0.70685362  0.29641738  0.50103337  1.0
  Sb  Sb17  1  0.29641738  0.70685362  0.50103337  1.0

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