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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho8Sc12Ga11Si5

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3301134 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
Ho8Sc12Ga11Si5
MP-ID
mp-3301134
元素数
4
位点数
36
密度
6.0239
g/cm³
体积
762.55
ų
晶胞参数 a
7.1384
Å
晶胞参数 b
7.5165
Å
晶胞参数 c
14.2119
Å
α 角
89.96
°
β 角
90.10
°
γ 角
90.18
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.78188
eV/atom
能量/原子
-16.60332
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.6033
eV/atom
体积/原子
21.18
ų
c/a 比
1.9909

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.8134
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.001070
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Sc · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.139
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3369
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.1149
J/mol·K
Ω 参数
0.7302
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.410%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2691
越小混合越稳定
VEC
4.917
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-20.046
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9644
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3301134
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho8Sc12Ga11Si5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3301134, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho8Sc12Ga11Si5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.13843202
_cell_length_b   7.51654487
_cell_length_c   14.21186006
_cell_angle_alpha   89.96463152
_cell_angle_beta   90.10162612
_cell_angle_gamma   90.17796506
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho8Sc12Ga11Si5
_chemical_formula_sum   'Ho8 Sc12 Ga11 Si5'
_cell_volume   762.55144040
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.01450512  0.17974210  0.40574931  1.0
  Ho  Ho1  1  0.51461142  0.32028256  0.40597304  1.0
  Ho  Ho2  1  0.48647881  0.68089021  0.90560152  1.0
  Ho  Ho3  1  0.48689044  0.68286991  0.59380743  1.0
  Ho  Ho4  1  0.98748573  0.81760440  0.59357147  1.0
  Ho  Ho5  1  0.98564812  0.82044400  0.90555111  1.0
  Ho  Ho6  1  0.51191216  0.31933885  0.09493882  1.0
  Ho  Ho7  1  0.01202935  0.18207139  0.09452208  1.0
  Sc  Sc8  1  0.32762472  0.17309157  0.62243791  1.0
  Sc  Sc9  1  0.67377958  0.82340969  0.37720599  1.0
  Sc  Sc10  1  0.66251310  0.99311348  0.75119445  1.0
  Sc  Sc11  1  0.17516693  0.67579045  0.37686207  1.0
  Sc  Sc12  1  0.82443140  0.32524943  0.87667678  1.0
  Sc  Sc13  1  0.82573634  0.32738186  0.62281416  1.0
  Sc  Sc14  1  0.84008593  0.49353939  0.25092284  1.0
  Sc  Sc15  1  0.33793273  0.00633665  0.25112510  1.0
  Sc  Sc16  1  0.32750496  0.17501169  0.87599261  1.0
  Sc  Sc17  1  0.17338049  0.67188414  0.12381399  1.0
  Sc  Sc18  1  0.67168873  0.82587194  0.12355807  1.0
  Sc  Sc19  1  0.15892652  0.50628504  0.75044736  1.0
  Ga  Ga20  1  0.28107910  0.87288552  0.74947349  1.0
  Ga  Ga21  1  0.46968599  0.61042375  0.25154218  1.0
  Ga  Ga22  1  0.02934188  0.11536536  0.74850654  1.0
  Ga  Ga23  1  0.52972146  0.39029526  0.74871040  1.0
  Ga  Ga24  1  0.15991102  0.46629494  0.54024761  1.0
  Ga  Ga25  1  0.96984273  0.88467267  0.25004912  1.0
  Ga  Ga26  1  0.71880276  0.12754783  0.25097590  1.0
  Ga  Ga27  1  0.83873586  0.53413776  0.04081966  1.0
  Ga  Ga28  1  0.33909159  0.96616131  0.04108600  1.0
  Ga  Ga29  1  0.15905227  0.46528347  0.95858952  1.0
  Ga  Ga30  1  0.66147890  0.03402165  0.54039215  1.0
  Si  Si31  1  0.34352558  0.96728147  0.45846679  1.0
  Si  Si32  1  0.84524880  0.53240050  0.45840014  1.0
  Si  Si33  1  0.78007035  0.62514885  0.74951525  1.0
  Si  Si34  1  0.21987370  0.37506510  0.25123789  1.0
  Si  Si35  1  0.65620741  0.03280883  0.95921624  1.0
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