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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th2Ga9Os2Rh

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3301956 · 空间群: Cmcm (#63)

Materials Project API

基础信息

化学式
Th2Ga9Os2Rh
MP-ID
mp-3301956
元素数
4
位点数
28
密度
10.8484
g/cm³
体积
482.15
ų
晶胞参数 a
7.6182
Å
晶胞参数 b
7.6182
Å
晶胞参数 c
9.5791
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.86
°
空间群
Cmcm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.57941
eV/atom
能量/原子
-27.72528
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.7253
eV/atom
体积/原子
17.22
ų
c/a 比
1.2574

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0011
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.643
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.357
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0285
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.5511
J/mol·K
Ω 参数
12.4029
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.162%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2728
越小混合越稳定
VEC
4.000
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.778
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7419
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）
aaahfwoi

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3301956
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2Ga9Os2Rh were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3301956, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据 
# generated using pymatgen
data_Th2Ga9Os2Rh
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.61817538
_cell_length_b   7.61817637
_cell_length_c   9.57908085
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.85722017
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2Ga9Os2Rh
_chemical_formula_sum   'Th4 Ga18 Os4 Rh2'
_cell_volume   482.14703727
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.99643023  0.66324185  0.25000000  1.0
  Th  Th1  1  0.00356977  0.33675815  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.66324185  0.99643023  0.25000000  1.0
  Th  Th3  1  0.33675815  0.00356977  0.75000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.13023718  0.13023718  0.25000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.86976282  0.86976282  0.75000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.00764769  0.33309592  0.07571029  1.0
  Ga  Ga7  1  0.99235231  0.66690408  0.92428971  1.0
  Ga  Ga8  1  0.99235231  0.66690408  0.57571029  1.0
  Ga  Ga9  1  0.33309592  0.00764769  0.42428971  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00764769  0.33309592  0.42428971  1.0
  Ga  Ga11  1  0.66690408  0.99235231  0.57571029  1.0
  Ga  Ga12  1  0.66690408  0.99235231  0.92428971  1.0
  Ga  Ga13  1  0.33309592  0.00764769  0.07571029  1.0
  Ga  Ga14  1  0.34137395  0.34137395  0.56165093  1.0
  Ga  Ga15  1  0.65862605  0.65862605  0.43834907  1.0
  Ga  Ga16  1  0.65862605  0.65862605  0.06165093  1.0
  Ga  Ga17  1  0.34137395  0.34137395  0.93834907  1.0
  Ga  Ga18  1  0.33603070  0.53979525  0.25000000  1.0
  Ga  Ga19  1  0.66396930  0.46020475  0.75000000  1.0
  Ga  Ga20  1  0.53979525  0.33603070  0.25000000  1.0
  Ga  Ga21  1  0.46020475  0.66396930  0.75000000  1.0
  Os  Os22  1  0.67386420  0.32613580  0.00000000  1.0
  Os  Os23  1  0.32613580  0.67386420  0.00000000  1.0
  Os  Os24  1  0.32613580  0.67386420  0.50000000  1.0
  Os  Os25  1  0.67386420  0.32613580  0.50000000  1.0
  Rh  Rh26  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Rh  Rh27  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
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