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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th2Sc3Ga3Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3302553 · 空间群: Pnma (#62)

基础信息

化学式
Th2Sc3Ga3Si
MP-ID
mp-3302553
元素数
4
位点数
36
密度
6.8341
g/cm³
体积
812.71
ų
晶胞参数 a
7.3379
Å
晶胞参数 b
7.6277
Å
晶胞参数 c
14.5203
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pnma
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.69649
eV/atom
能量/原子
-25.61294
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.6129
eV/atom
体积/原子
22.58
ų
c/a 比
1.9788

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.5761
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000710
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Sc · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.111
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3108
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.8979
J/mol·K
Ω 参数
0.7757
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.800%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2490
越小混合越稳定
VEC
2.889
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-19.149
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9455
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3302553
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2Sc3Ga3Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3302553, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th2Sc3Ga3Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.33787595
_cell_length_b   7.62768519
_cell_length_c   14.52026571
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2Sc3Ga3Si
_chemical_formula_sum   'Th8 Sc12 Ga12 Si4'
_cell_volume   812.71390346
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00729124  0.17775021  0.09877336  1.0
  Th  Th1  1  0.99270876  0.82224979  0.90122664  1.0
  Th  Th2  1  0.49270876  0.67775021  0.90122664  1.0
  Th  Th3  1  0.99270876  0.82224979  0.59877336  1.0
  Th  Th4  1  0.50729124  0.32224979  0.09877336  1.0
  Th  Th5  1  0.00729124  0.17775021  0.40122664  1.0
  Th  Th6  1  0.50729124  0.32224979  0.40122664  1.0
  Th  Th7  1  0.49270876  0.67775021  0.59877336  1.0
  Sc  Sc8  1  0.16480713  0.50467607  0.75000000  1.0
  Sc  Sc9  1  0.83519287  0.49532393  0.25000000  1.0
  Sc  Sc10  1  0.33519287  0.00467607  0.25000000  1.0
  Sc  Sc11  1  0.66480713  0.99532393  0.75000000  1.0
  Sc  Sc12  1  0.33052926  0.17099349  0.62584593  1.0
  Sc  Sc13  1  0.66947074  0.82900651  0.37415407  1.0
  Sc  Sc14  1  0.16947074  0.67099349  0.37415407  1.0
  Sc  Sc15  1  0.66947074  0.82900651  0.12584593  1.0
  Sc  Sc16  1  0.83052926  0.32900651  0.62584593  1.0
  Sc  Sc17  1  0.33052926  0.17099349  0.87415407  1.0
  Sc  Sc18  1  0.83052926  0.32900651  0.87415407  1.0
  Sc  Sc19  1  0.16947074  0.67099349  0.12584593  1.0
  Ga  Ga20  1  0.03255990  0.12253632  0.75000000  1.0
  Ga  Ga21  1  0.96744010  0.87746368  0.25000000  1.0
  Ga  Ga22  1  0.46744010  0.62253632  0.25000000  1.0
  Ga  Ga23  1  0.53255990  0.37746368  0.75000000  1.0
  Ga  Ga24  1  0.16224199  0.46154331  0.53907666  1.0
  Ga  Ga25  1  0.83775801  0.53845669  0.46092334  1.0
  Ga  Ga26  1  0.33775801  0.96154331  0.46092334  1.0
  Ga  Ga27  1  0.83775801  0.53845669  0.03907666  1.0
  Ga  Ga28  1  0.66224199  0.03845669  0.53907666  1.0
  Ga  Ga29  1  0.16224199  0.46154331  0.96092334  1.0
  Ga  Ga30  1  0.66224199  0.03845669  0.96092334  1.0
  Ga  Ga31  1  0.33775801  0.96154331  0.03907666  1.0
  Si  Si32  1  0.29249744  0.87776507  0.75000000  1.0
  Si  Si33  1  0.70750256  0.12223493  0.25000000  1.0
  Si  Si34  1  0.20750256  0.37776507  0.25000000  1.0
  Si  Si35  1  0.79249744  0.62223493  0.75000000  1.0
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