Hf3Ga3OsPd2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3302682 · 空间群: P-6 (#174)

Materials Project API

基础信息

化学式

Hf3Ga3OsPd2

MP-ID

mp-3302682

元素数

位点数

密度

12.5479

g/cm³

体积

303.77

Å³

晶胞参数 a

7.3382

晶胞参数 b

7.3382

晶胞参数 c

6.5138

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-6

点群

-6

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.94	6.3551	12.1	(1,0,-1,0)
13.94	6.3551	6.1	(1,-1,0,0)
24.26	3.6691	19.3	(2,-1,-1,0)
27.38	3.2569	1.2	(0,0,0,2)
28.08	3.1775	5.5	(2,0,-2,0)
30.85	2.8984	5.1	(1,0,-1,2)
36.90	2.4357	100.0	(2,-1,-1,2)
37.44	2.4020	9.5	(2,1,-3,0)
37.44	2.4020	19.1	(3,-1,-2,0)
39.63	2.2744	64.6	(2,0,-2,2)
42.68	2.1184	60.5	(3,0,-3,0)
47.01	1.9331	25.0	(3,-1,-2,2)
49.70	1.8346	4.3	(4,-2,-2,0)
51.87	1.7626	6.8	(3,1,-4,0)
51.87	1.7626	9.0	(4,-1,-3,0)
56.51	1.6284	15.2	(0,0,0,4)
57.67	1.5984	10.8	(4,-2,-2,2)
58.51	1.5775	1.0	(1,0,-1,4)
59.65	1.5501	10.6	(4,-1,-3,2)
62.39	1.4884	3.0	(2,-1,-1,4)
63.84	1.4580	2.0	(3,2,-5,0)
63.84	1.4580	1.2	(5,-2,-3,0)
64.28	1.4492	1.1	(2,0,-2,4)
67.55	1.3868	2.2	(5,-1,-4,0)

获取直接链接

能量属性

形成能/原子

-0.76498

eV/atom

能量/原子

-30.61928

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-30.6193

eV/atom

体积/原子

16.88

Å³

c/a 比

0.8877

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0002

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Hf · 0.333

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

0.4977

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

7.687%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3685

越小混合越稳定

VEC

5.444

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-37.437

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfxqg

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3302682

参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf3Ga3OsPd2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3302682, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick | 拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移

原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Hf3Ga3OsPd2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.33819920
_cell_length_b   7.33819937
_cell_length_c   6.51375382
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999483
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf3Ga3OsPd2
_chemical_formula_sum   'Hf6 Ga6 Os2 Pd4'
_cell_volume   303.76728422
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.60216848  0.61461730  0.25000000  1.0
  Hf  Hf1  1  0.01304972  0.39790824  0.75000000  1.0
  Hf  Hf2  1  0.38538270  0.98755218  0.25000000  1.0
  Hf  Hf3  1  0.01244782  0.39783152  0.25000000  1.0
  Hf  Hf4  1  0.38485852  0.98695028  0.75000000  1.0
  Hf  Hf5  1  0.60209176  0.61514148  0.75000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.27838110  0.27314122  0.49988879  1.0
  Ga  Ga7  1  0.72685878  0.00523988  0.49988879  1.0
  Ga  Ga8  1  0.99476012  0.72161890  0.49988879  1.0
  Ga  Ga9  1  0.72685878  0.00523988  0.00011121  1.0
  Ga  Ga10  1  0.27838110  0.27314122  0.00011121  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99476012  0.72161890  0.00011121  1.0
  Os  Os12  1  0.33333300  0.66666700  0.49979559  1.0
  Os  Os13  1  0.33333300  0.66666700  0.00020441  1.0
  Pd  Pd14  1  0.00000000  0.00000000  0.75000000  1.0
  Pd  Pd15  1  0.00000000  0.00000000  0.25000000  1.0
  Pd  Pd16  1  0.66666700  0.33333300  0.50082214  1.0
  Pd  Pd17  1  0.66666700  0.33333300  0.99917786  1.0

获取直接链接