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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th10Ga2(SnSb)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3302886 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
Th10Ga2(SnSb)3
MP-ID
mp-3302886
元素数
4
位点数
18
密度
10.1464
g/cm³
体积
520.64
ų
晶胞参数 a
9.5694
Å
晶胞参数 b
9.5831
Å
晶胞参数 c
6.5557
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
18.52 4.7916 2.0 (1,-2,0)
18.53 4.7880 2.0 (1,1,0)
18.54 4.7847 2.0 (2,-1,0)
21.41 4.1496 7.2 (0,2,0)
21.43 4.1467 7.3 (2,-2,0)
21.44 4.1436 7.1 (2,0,0)
22.99 3.8684 11.0 (1,-2,1)
23.00 3.8666 11.0 (1,1,1)
23.01 3.8648 11.0 (2,-1,1)
27.21 3.2778 24.4 (0,0,2)
28.45 3.1371 9.5 (1,-3,0)
28.46 3.1362 9.2 (2,-3,0)
28.47 3.1355 9.7 (1,2,0)
28.48 3.1336 9.2 (2,1,0)
28.49 3.1330 9.5 (3,-2,0)
28.50 3.1320 9.5 (3,-1,0)
29.30 3.0487 11.5 (0,1,2)
29.30 3.0484 11.3 (1,-1,2)
29.30 3.0481 11.2 (1,0,2)
31.62 2.8298 37.5 (1,-3,1)
31.63 2.8291 37.1 (2,-3,1)
31.63 2.8286 37.3 (1,2,1)
31.65 2.8272 36.2 (2,1,1)
31.65 2.8268 36.7 (3,-2,1)
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能量属性

形成能/原子
-0.79142
eV/atom
能量/原子
-51.29118
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-51.2912
eV/atom
体积/原子
28.92
ų
c/a 比
0.6851

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0017
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.556
元素家族
Actinide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1679
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.7102
J/mol·K
Ω 参数
11.9991
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.951%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3319
越小混合越稳定
VEC
2.944
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.168
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8425
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3302886
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10Ga2(SnSb)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3302886, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th10Ga2(SnSb)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.56943784
_cell_length_b   9.58310883
_cell_length_c   6.55564770
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00128359
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10Ga2(SnSb)3
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga2 Sn3 Sb3'
_cell_volume   520.63512745
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.99940593  0.26206375  0.25000000  1.0
  Th  Th1  1  0.73450649  0.99928023  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.73566991  0.73689394  0.25000000  1.0
  Th  Th3  1  0.66669428  0.33358423  0.50053019  1.0
  Th  Th4  1  0.00050942  0.73641689  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.26448257  0.26324791  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  0.33389375  0.66680808  0.99942124  1.0
  Th  Th7  1  0.66669428  0.33358423  0.99946981  1.0
  Th  Th8  1  0.33389375  0.66680808  0.50057876  1.0
  Th  Th9  1  0.26404343  0.00087530  0.25000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.99948123  0.99969417  0.99865374  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99948123  0.99969417  0.50134626  1.0
  Sn  Sn12  1  0.99975927  0.61477164  0.25000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.00022493  0.38480851  0.75000000  1.0
  Sn  Sn14  1  0.61598779  0.61520009  0.75000000  1.0
  Sb  Sb15  1  0.61392824  0.00019900  0.25000000  1.0
  Sb  Sb16  1  0.38552937  0.99937776  0.75000000  1.0
  Sb  Sb17  1  0.38581313  0.38669103  0.25000000  1.0
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