Ho4GaSi7Tc6
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3302899 · 空间群: P1 (#1)
基础信息
化学式
Ho4GaSi7Tc6
MP-ID
mp-3302899
元素数
4
位点数
18
密度
8.6872
g/cm³
体积
289.41
ų
晶胞参数 a
6.7709
Å
晶胞参数 b
6.6975
Å
晶胞参数 c
6.7839
Å
α 角
70.18
°
β 角
90.38
°
γ 角
90.05
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.75328
eV/atom
能量/原子
-20.76286
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-20.7629
eV/atom
体积/原子
16.08
ų
c/a 比
1.0019
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0021
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.389
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.611
间隙分数
0.389
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2283
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.2122
J/mol·K
Ω 参数
16.3591
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.971%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2766
越小混合越稳定
VEC
5.833
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.166
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8860
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3302899
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ho4GaSi7Tc6 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3302899, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4GaSi7Tc6
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.77093401
_cell_length_b 6.69750407
_cell_length_c 6.78388631
_cell_angle_alpha 70.17887343
_cell_angle_beta 90.37770740
_cell_angle_gamma 90.05439148
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ho4GaSi7Tc6
_chemical_formula_sum 'Ho4 Ga1 Si7 Tc6'
_cell_volume 289.40577420
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ho Ho0 1 0.66950274 0.44431239 0.19386666 1.0
Ho Ho1 1 0.16664839 0.05761187 0.80466630 1.0
Ho Ho2 1 0.33208344 0.55971382 0.80534943 1.0
Ho Ho3 1 0.83084678 0.94345262 0.19012868 1.0
Ga Ga4 1 0.44716168 0.12737892 0.10119602 1.0
Si Si5 1 0.95063032 0.37972837 0.89751773 1.0
Si Si6 1 0.54961133 0.87938022 0.89712819 1.0
Si Si7 1 0.04958253 0.62259794 0.10270080 1.0
Si Si8 1 0.85841356 0.12808602 0.51072081 1.0
Si Si9 1 0.36175202 0.36562629 0.48921873 1.0
Si Si10 1 0.14340139 0.86833028 0.48191183 1.0
Si Si11 1 0.64195704 0.63197645 0.51256129 1.0
Tc Tc12 1 0.49676831 0.99178266 0.50854424 1.0
Tc Tc13 1 0.00342085 0.50660467 0.50110807 1.0
Tc Tc14 1 0.14326147 0.24591087 0.24685678 1.0
Tc Tc15 1 0.66024434 0.25802650 0.75119016 1.0
Tc Tc16 1 0.84557084 0.75767128 0.76483854 1.0
Tc Tc17 1 0.34914398 0.73180882 0.24049674 1.0