Hf3Ga3Re2N

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3302966 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

Materials Project API

基础信息

化学式

Hf3Ga3Re2N

MP-ID

mp-3302966

元素数

位点数

密度

13.8924

g/cm³

体积

270.39

Å³

晶胞参数 a

7.7139

晶胞参数 b

7.7139

晶胞参数 c

5.2470

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mcm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
23.06	3.8569	14.0	(2,-1,-1,0)
26.69	3.3402	17.7	(2,0,-2,0)
28.73	3.1077	20.4	(2,-1,-1,1)
34.18	2.6235	10.4	(0,0,0,2)
35.55	2.5250	43.5	(3,-1,-2,0)
35.55	2.5250	21.8	(1,2,-3,0)
36.81	2.4420	41.1	(1,0,-1,2)
39.61	2.2752	46.8	(3,-1,-2,1)
39.61	2.2752	93.5	(2,1,-3,1)
40.51	2.2268	28.9	(3,0,-3,0)
40.51	2.2268	14.5	(0,3,-3,0)
41.63	2.1692	100.0	(2,-1,-1,2)
43.88	2.0632	4.3	(2,0,-2,2)
47.13	1.9285	1.4	(4,-2,-2,0)
47.13	1.9285	2.8	(2,2,-4,0)
49.17	1.8528	2.2	(4,-1,-3,0)
49.17	1.8528	1.1	(1,3,-4,0)
50.42	1.8101	2.3	(4,-2,-2,1)
50.42	1.8101	4.7	(2,2,-4,1)
52.37	1.7471	1.5	(3,1,-4,1)
54.01	1.6977	3.8	(3,0,-3,2)
54.01	1.6977	1.9	(0,3,-3,2)
54.98	1.6701	3.7	(4,0,-4,0)
54.98	1.6701	1.9	(0,4,-4,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.82265

eV/atom

能量/原子

-32.34849

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-32.3485

eV/atom

体积/原子

15.02

Å³

c/a 比

0.6802

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0021

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Hf · 0.333

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.111

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

0.4004

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

17.755%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.5064

越小混合越稳定

VEC

4.444

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-46.596

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfybe

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3302966

参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf3Ga3Re2N were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3302966, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Hf3Ga3Re2N
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.71387300
_cell_length_b   7.71387185
_cell_length_c   5.24702831
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000494
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf3Ga3Re2N
_chemical_formula_sum   'Hf6 Ga6 Re4 N2'
_cell_volume   270.38893905
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.23435024  0.00000000  0.25000000  1.0
  Hf  Hf1  1  1.00000000  0.23435024  0.25000000  1.0
  Hf  Hf2  1  0.76564976  0.76564976  0.25000000  1.0
  Hf  Hf3  1  0.76564976  0.00000000  0.75000000  1.0
  Hf  Hf4  1  0.00000000  0.76564976  0.75000000  1.0
  Hf  Hf5  1  0.23435024  0.23435024  0.75000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.59074207  0.00000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga7  1  1.00000000  0.59074207  0.25000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.40925793  0.40925793  0.25000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.40925793  0.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.40925793  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.59074207  0.59074207  0.75000000  1.0
  Re  Re12  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Re  Re13  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Re  Re14  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Re  Re15  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  N  N16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  N  N17  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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