Th10Ga2SnSb5

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3303114 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10Ga2SnSb5

MP-ID

mp-3303114

元素数

位点数

密度

10.2429

g/cm³

体积

516.72

Å³

晶胞参数 a

9.5555

晶胞参数 b

9.5555

晶胞参数 c

6.5317

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

119.96

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
18.57	4.7778	1.9	(2,-1,-1,0)
21.47	4.1394	7.0	(2,0,-2,0)
21.48	4.1368	3.5	(2,-2,0,0)
23.05	3.8578	5.7	(1,1,-2,1)
23.06	3.8562	11.4	(2,-1,-1,1)
27.31	3.2659	12.2	(0,0,0,2)
28.52	3.1297	4.7	(1,2,-3,0)
28.52	3.1297	4.7	(2,1,-3,0)
28.53	3.1283	4.7	(1,-3,2,0)
28.53	3.1283	4.7	(3,-1,-2,0)
28.54	3.1274	4.6	(2,-3,1,0)
28.54	3.1274	4.6	(3,-2,-1,0)
29.40	3.0380	11.0	(1,0,-1,2)
29.40	3.0378	5.5	(1,-1,0,2)
31.70	2.8224	36.8	(2,1,-3,1)
31.71	2.8214	18.3	(1,-3,2,1)
31.71	2.8214	18.3	(3,-1,-2,1)
31.72	2.8208	18.1	(2,-3,1,1)
31.72	2.8208	18.1	(3,-2,-1,1)
32.44	2.7596	37.0	(0,3,-3,0)
32.44	2.7596	37.0	(3,0,-3,0)
32.46	2.7579	37.3	(3,-3,0,0)
33.22	2.6967	50.0	(1,1,-2,2)
33.23	2.6962	100.0	(2,-1,-1,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.86482

eV/atom

能量/原子

-51.47126

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-51.4713

eV/atom

体积/原子

28.71

Å³

c/a 比

0.6836

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0011

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0871

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.0379

J/mol·K

Ω 参数

7.4755

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.352%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3440

越小混合越稳定

VEC

3.056

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.799

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7842

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfygw

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3303114

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10Ga2SnSb5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3303114, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10Ga2SnSb5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.55554185
_cell_length_b   9.55554315
_cell_length_c   6.53172881
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.95806881
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10Ga2SnSb5
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga2 Sn1 Sb5'
_cell_volume   516.71708236
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.99973582  0.26408110  0.25000000  1.0
  Th  Th1  1  0.73470820  0.00049412  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.73573449  0.73573449  0.25000000  1.0
  Th  Th3  1  0.66698363  0.33349573  0.50049009  1.0
  Th  Th4  1  0.00049412  0.73470820  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.26421801  0.26421801  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  0.33349573  0.66698363  0.99950991  1.0
  Th  Th7  1  0.66698363  0.33349573  0.99950991  1.0
  Th  Th8  1  0.33349573  0.66698363  0.50049009  1.0
  Th  Th9  1  0.26408110  0.99973582  0.25000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.99964178  0.99964178  0.99880420  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99964178  0.99964178  0.50119580  1.0
  Sn  Sn12  1  0.61467488  0.61467488  0.75000000  1.0
  Sb  Sb13  1  0.61329790  0.99925468  0.25000000  1.0
  Sb  Sb14  1  0.38626428  0.00021428  0.75000000  1.0
  Sb  Sb15  1  0.38708099  0.38708099  0.25000000  1.0
  Sb  Sb16  1  0.99925468  0.61329790  0.25000000  1.0
  Sb  Sb17  1  0.00021428  0.38626428  0.75000000  1.0

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