Ac7Ho(InSi2)4
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3303200 · 空间群: Pm (#6)
基础信息
化学式
Ac7Ho(InSi2)4
MP-ID
mp-3303200
元素数
4
位点数
20
密度
7.3496
g/cm³
体积
550.80
ų
晶胞参数 a
4.4857
Å
晶胞参数 b
8.0133
Å
晶胞参数 c
15.3245
Å
α 角
90.75
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 19.79 | 4.4857 | 51.6 | (1,0,0) |
| 20.75 | 4.2818 | 1.7 | (0,1,3) |
| 22.19 | 4.0063 | 7.4 | (0,2,0) |
| 22.87 | 3.8885 | 9.0 | (0,2,-1) |
| 23.02 | 3.8637 | 11.4 | (0,2,1) |
| 23.22 | 3.8308 | 14.1 | (0,0,4) |
| 23.42 | 3.7982 | 3.0 | (1,1,-1) |
| 23.49 | 3.7866 | 9.9 | (1,1,1) |
| 24.95 | 3.5695 | 23.6 | (0,2,-2) |
| 25.22 | 3.5313 | 16.6 | (0,2,2) |
| 25.49 | 3.4947 | 2.9 | (1,1,-2) |
| 25.62 | 3.4766 | 6.9 | (1,1,2) |
| 25.64 | 3.4738 | 30.2 | (0,1,-4) |
| 25.91 | 3.4387 | 22.2 | (0,1,4) |
| 28.13 | 3.1725 | 11.8 | (0,2,-3) |
| 28.49 | 3.1325 | 15.6 | (0,2,3) |
| 28.64 | 3.1164 | 20.3 | (1,1,-3) |
| 28.83 | 3.0973 | 20.4 | (1,1,3) |
| 29.90 | 2.9881 | 51.6 | (1,2,0) |
| 30.42 | 2.9382 | 49.9 | (1,2,-1) |
| 30.54 | 2.9275 | 43.2 | (1,2,1) |
| 30.69 | 2.9131 | 100.0 | (1,0,4) |
| 31.11 | 2.8750 | 7.4 | (0,1,-5) |
| 31.39 | 2.8500 | 12.4 | (0,1,5) |
能量属性
形成能/原子
-0.65889
eV/atom
能量/原子
-34.35130
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.3513
eV/atom
体积/原子
27.54
ų
c/a 比
3.4163
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0020
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2056
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.0236
J/mol·K
Ω 参数
8.9861
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
21.866%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3680
越小混合越稳定
VEC
3.450
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.462
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8697
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3303200
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ac7Ho(InSi2)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3303200, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ac7Ho(InSi2)4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.48573555
_cell_length_b 8.01334082
_cell_length_c 15.32451873
_cell_angle_alpha 90.74905940
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ac7Ho(InSi2)4
_chemical_formula_sum 'Ac7 Ho1 In4 Si8'
_cell_volume 550.80390402
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ac Ac0 1 0.50000000 0.73828829 0.03063005 1.0
Ac Ac1 1 0.50000000 0.24090898 0.95913137 1.0
Ac Ac2 1 0.50000000 0.25385027 0.47272256 1.0
Ac Ac3 1 0.50000000 0.76172989 0.53658648 1.0
Ac Ac4 1 0.50000000 0.61819188 0.28437960 1.0
Ac Ac5 1 0.50000000 0.38702345 0.72264878 1.0
Ac Ac6 1 0.50000000 0.11837394 0.21332736 1.0
Ho Ho7 1 0.50000000 0.88726967 0.78362841 1.0
In In8 1 0.00000000 0.94488744 0.37342238 1.0
In In9 1 0.00000000 0.04552567 0.63665419 1.0
In In10 1 0.00000000 0.43637233 0.12440044 1.0
In In11 1 0.00000000 0.58892672 0.86755328 1.0
Si Si12 1 0.00000000 0.54902242 0.42900529 1.0
Si Si13 1 0.00000000 0.47246670 0.58121220 1.0
Si Si14 1 0.00000000 0.03452573 0.06622344 1.0
Si Si15 1 0.00000000 0.92751391 0.91561456 1.0
Si Si16 1 0.00000000 0.83045697 0.18077997 1.0
Si Si17 1 0.00000000 0.14059489 0.81036920 1.0
Si Si18 1 0.00000000 0.32754992 0.32169455 1.0
Si Si19 1 0.00000000 0.69652192 0.69001689 1.0
