Th10Sn3Ge2Sb3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3303245 · 空间群: P-62m (#189)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10Sn3Ge2Sb3

MP-ID

mp-3303245

元素数

位点数

密度

10.1771

g/cm³

体积

520.02

Å³

晶胞参数 a

9.5689

晶胞参数 b

9.5689

晶胞参数 c

6.5579

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-62m

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
18.55	4.7845	2.4	(2,-1,-1,0)
21.45	4.1435	6.7	(2,0,-2,0)
23.01	3.8651	11.1	(2,-1,-1,1)
27.20	3.2789	8.2	(0,0,0,2)
28.50	3.1322	9.8	(2,1,-3,0)
28.50	3.1322	9.8	(3,-1,-2,0)
29.29	3.0489	11.4	(1,0,-1,2)
31.66	2.8263	77.0	(3,-1,-2,1)
32.41	2.7623	23.7	(0,3,-3,0)
32.41	2.7623	47.5	(3,0,-3,0)
33.12	2.7047	100.0	(2,-1,-1,2)
37.60	2.3922	1.3	(4,-2,-2,0)
41.64	2.1690	9.8	(4,-1,-3,1)
43.69	2.0717	4.1	(4,0,-4,0)
45.63	1.9883	2.0	(2,-1,-1,3)
47.02	1.9326	29.4	(4,-2,-2,2)
47.85	1.9012	1.5	(5,-2,-3,0)
48.36	1.8821	5.1	(4,-1,-3,2)
49.95	1.8260	17.3	(5,-2,-3,1)
50.47	1.8084	5.2	(4,1,-5,0)
50.47	1.8084	5.2	(5,-1,-4,0)
50.94	1.7926	6.9	(2,1,-3,3)
50.94	1.7926	13.9	(3,-1,-2,3)
52.23	1.7514	15.3	(4,0,-4,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.88259

eV/atom

能量/原子

-51.65226

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-51.6523

eV/atom

体积/原子

28.89

Å³

c/a 比

0.6853

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0005

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1679

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.7102

J/mol·K

Ω 参数

7.4854

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.237%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3519

越小混合越稳定

VEC

3.056

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-2.003

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8425

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfylx

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3303245

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10Sn3Ge2Sb3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3303245, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10Sn3Ge2Sb3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.56892482
_cell_length_b   9.56892537
_cell_length_c   6.55784863
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999465
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10Sn3Ge2Sb3
_chemical_formula_sum   'Th10 Sn3 Ge2 Sb3'
_cell_volume   520.01797125
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.66666700  0.33333300  0.99857600  1.0
  Th  Th1  1  0.33333300  0.66666700  0.99857600  1.0
  Th  Th2  1  0.33333300  0.66666700  0.50142400  1.0
  Th  Th3  1  0.66666700  0.33333300  0.50142400  1.0
  Th  Th4  1  0.73798886  0.73798886  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.26201114  1.00000000  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  1.00000000  0.26201114  0.75000000  1.0
  Th  Th7  1  0.26231139  0.26231139  0.25000000  1.0
  Th  Th8  1  0.73768861  0.00000000  0.25000000  1.0
  Th  Th9  1  0.00000000  0.73768861  0.25000000  1.0
  Sn  Sn10  1  0.38769039  0.38769039  0.75000000  1.0
  Sn  Sn11  1  0.61230961  1.00000000  0.75000000  1.0
  Sn  Sn12  1  1.00000000  0.61230961  0.75000000  1.0
  Ge  Ge13  1  0.00000000  0.00000000  0.00104661  1.0
  Ge  Ge14  1  0.00000000  0.00000000  0.49895339  1.0
  Sb  Sb15  1  0.61165297  0.61165297  0.25000000  1.0
  Sb  Sb16  1  0.38834703  1.00000000  0.25000000  1.0
  Sb  Sb17  1  1.00000000  0.38834703  0.25000000  1.0

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