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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Cs12GaGeAs6

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3303750 · 空间群: P-6 (#174)

基础信息

化学式
Cs12GaGeAs6
MP-ID
mp-3303750
元素数
4
位点数
20
密度
3.9601
g/cm³
体积
916.94
ų
晶胞参数 a
5.6935
Å
晶胞参数 b
13.5833
Å
晶胞参数 c
13.6667
Å
α 角
60.18
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P-6
点群
-6
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
7.46 11.8566 35.0 (0,0,1)
7.50 11.7888 34.6 (0,1,1)
7.50 11.7843 35.4 (0,1,0)
12.96 6.8332 1.5 (0,1,2)
12.96 6.8305 1.5 (0,1,-1)
13.04 6.7916 1.6 (0,2,1)
14.94 5.9283 2.2 (0,0,2)
15.03 5.8944 2.1 (0,2,2)
15.04 5.8921 2.2 (0,2,0)
19.83 4.4782 1.2 (0,1,3)
19.88 4.4652 1.6 (0,2,-1)
19.96 4.4478 1.5 (0,3,2)
20.30 4.3741 7.6 (1,1,2)
20.31 4.3734 6.6 (1,1,-1)
20.35 4.3632 7.0 (1,2,1)
21.64 4.1064 5.3 (1,0,2)
21.70 4.0951 4.5 (1,2,2)
21.71 4.0943 5.5 (1,2,0)
25.30 3.5199 8.9 (1,1,3)
25.31 3.5193 77.7 (1,1,-2)
25.34 3.5145 83.8 (1,2,3)
25.35 3.5135 9.1 (1,2,-1)
25.41 3.5050 9.2 (1,3,2)
25.41 3.5047 84.2 (1,3,1)
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能量属性

形成能/原子
-0.52215
eV/atom
能量/原子
-21.26522
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-21.2652
eV/atom
体积/原子
45.85
ų
c/a 比
2.4004

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.8171
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000890
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Cs · 0.600
元素家族
Alkali-AlkEarth
溶质分数
0.400
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9673
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.0418
J/mol·K
Ω 参数
30.1734
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
34.073%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.6529
越小混合越稳定
VEC
1.850
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.156
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6977
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3303750
参考引用

The crystal structure and related material properties of Cs12GaGeAs6 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3303750, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Cs12GaGeAs6
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.69347140
_cell_length_b   13.58325908
_cell_length_c   13.66664975
_cell_angle_alpha   60.17621009
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Cs12GaGeAs6
_chemical_formula_sum   'Cs12 Ga1 Ge1 As6'
_cell_volume   916.94276139
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Cs  Cs0  1  0.75000000  0.48125726  0.11954629  1.0
  Cs  Cs1  1  0.25000000  0.51242313  0.88627748  1.0
  Cs  Cs2  1  0.75000000  0.72088951  0.23774379  1.0
  Cs  Cs3  1  0.25000000  0.27665923  0.76079929  1.0
  Cs  Cs4  1  0.25000000  0.59884493  0.51484142  1.0
  Cs  Cs5  1  0.75000000  0.40141943  0.47863578  1.0
  Cs  Cs6  1  0.25000000  0.76180820  0.96083284  1.0
  Cs  Cs7  1  0.75000000  0.23730241  0.04277544  1.0
  Cs  Cs8  1  0.25000000  0.88439532  0.60256650  1.0
  Cs  Cs9  1  0.75000000  0.12140737  0.39765247  1.0
  Cs  Cs10  1  0.25000000  0.95959194  0.28149496  1.0
  Cs  Cs11  1  0.75000000  0.04423196  0.71545267  1.0
  Ga  Ga12  1  0.25000000  0.33500661  0.33191096  1.0
  Ge  Ge13  1  0.75000000  0.66515136  0.66814880  1.0
  As  As14  1  0.25000000  0.26347641  0.19816587  1.0
  As  As15  1  0.75000000  0.73051478  0.80100185  1.0
  As  As16  1  0.25000000  0.20040276  0.53614542  1.0
  As  As17  1  0.75000000  0.79831353  0.47077997  1.0
  As  As18  1  0.25000000  0.54040036  0.26215323  1.0
  As  As19  1  0.75000000  0.46650349  0.73307497  1.0
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