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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V2Co2SiP

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3304444 · 空间群: Pmc2_1 (#26)

基础信息

化学式
V2Co2SiP
MP-ID
mp-3304444
元素数
4
位点数
12
密度
6.6593
g/cm³
体积
139.04
ų
晶胞参数 a
3.5343
Å
晶胞参数 b
5.8729
Å
晶胞参数 c
6.6988
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmc2_1
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.69463
eV/atom
能量/原子
-12.76520
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-12.7652
eV/atom
体积/原子
11.59
ų
c/a 比
1.8954

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
1.9813
μB
磁有序
FiM
磁性位点数
6
磁化强度/体积
0.014250
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.333
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3297
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0548
J/mol·K
Ω 参数
0.6856
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
6.950%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1900
越小混合越稳定
VEC
6.167
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-26.621
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9591
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3304444
参考引用

The crystal structure and related material properties of V2Co2SiP were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3304444, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V2Co2SiP
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.53430801
_cell_length_b   5.87293857
_cell_length_c   6.69877017
_cell_angle_alpha   89.99699515
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V2Co2SiP
_chemical_formula_sum   'V4 Co4 Si2 P2'
_cell_volume   139.04485714
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.25000000  0.02526486  0.17519015  1.0
  V  V1  1  0.25000000  0.52527038  0.32484366  1.0
  V  V2  1  0.75000000  0.97247275  0.82533012  1.0
  V  V3  1  0.75000000  0.47248647  0.67461051  1.0
  Co  Co4  1  0.25000000  0.14487139  0.55409594  1.0
  Co  Co5  1  0.25000000  0.64488144  0.94591033  1.0
  Co  Co6  1  0.75000000  0.85843102  0.43298223  1.0
  Co  Co7  1  0.75000000  0.35842608  0.06703608  1.0
  Si  Si8  1  0.25000000  0.76837439  0.62450207  1.0
  Si  Si9  1  0.25000000  0.26839326  0.87551040  1.0
  P  P10  1  0.75000000  0.23056641  0.37653078  1.0
  P  P11  1  0.75000000  0.73056154  0.12346073  1.0
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