HfTa3(VSi)4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3304455 · 空间群: Pm (#6)

Materials Project API

基础信息

化学式

HfTa3(VSi)4

MP-ID

mp-3304455

元素数

位点数

密度

9.7101

g/cm³

体积

177.41

Å³

晶胞参数 a

3.3921

晶胞参数 b

6.5931

晶胞参数 c

7.9330

α 角

90.28

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.69909

eV/atom

能量/原子

-24.23078

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-24.2308

eV/atom

体积/原子

14.78

Å³

c/a 比

2.3387

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0012

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.333

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.333

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2861

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6923

J/mol·K

Ω 参数

0.5655

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

10.169%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1916

越小混合越稳定

VEC

4.583

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-43.889

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9277

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgagl

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3304455

参考引用

The crystal structure and related material properties of HfTa3(VSi)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3304455, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HfTa3(VSi)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.39211287
_cell_length_b   6.59305351
_cell_length_c   7.93299925
_cell_angle_alpha   90.28272045
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HfTa3(VSi)4
_chemical_formula_sum   'Hf1 Ta3 V4 Si4'
_cell_volume   177.41446281
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.75000000  0.54561192  0.83312151  1.0
  Ta  Ta1  1  0.25000000  0.95430022  0.33234912  1.0
  Ta  Ta2  1  0.25000000  0.45351379  0.17045474  1.0
  Ta  Ta3  1  0.75000000  0.04660323  0.66513691  1.0
  V  V4  1  0.25000000  0.36962501  0.56002034  1.0
  V  V5  1  0.25000000  0.87372949  0.94072506  1.0
  V  V6  1  0.75000000  0.63075625  0.43716146  1.0
  V  V7  1  0.75000000  0.12829616  0.06189271  1.0
  Si  Si8  1  0.25000000  0.74896221  0.63540586  1.0
  Si  Si9  1  0.25000000  0.24008761  0.86173635  1.0
  Si  Si10  1  0.75000000  0.25382659  0.36267312  1.0
  Si  Si11  1  0.75000000  0.75468552  0.13932383  1.0

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