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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

ThGaSiTc4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3304631 · 空间群: Pnnm (#58)

基础信息

化学式
ThGaSiTc4
MP-ID
mp-3304631
元素数
4
位点数
28
密度
10.0783
g/cm³
体积
475.73
ų
晶胞参数 a
4.2290
Å
晶胞参数 b
7.1932
Å
晶胞参数 c
15.6388
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pnnm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.49411
eV/atom
能量/原子
-28.71561
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-28.7156
eV/atom
体积/原子
16.99
ų
c/a 比
3.6980

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0018
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.571
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.429
间隙分数
0.143
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1537
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.5922
J/mol·K
Ω 参数
17.1967
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.897%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2070
越小混合越稳定
VEC
4.143
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.102
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8322
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3304631
参考引用

The crystal structure and related material properties of ThGaSiTc4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3304631, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ThGaSiTc4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.22903413
_cell_length_b   7.19315813
_cell_length_c   15.63882153
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThGaSiTc4
_chemical_formula_sum   'Th4 Ga4 Si4 Tc16'
_cell_volume   475.73469070
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00000000  0.59465902  0.11831770  1.0
  Th  Th1  1  0.00000000  0.40534098  0.88168230  1.0
  Th  Th2  1  0.50000000  0.09465902  0.38168230  1.0
  Th  Th3  1  0.50000000  0.90534098  0.61831770  1.0
  Ga  Ga4  1  0.00000000  0.82975769  0.47245854  1.0
  Ga  Ga5  1  0.00000000  0.17024231  0.52754146  1.0
  Ga  Ga6  1  0.50000000  0.32975769  0.02754146  1.0
  Ga  Ga7  1  0.50000000  0.67024231  0.97245854  1.0
  Si  Si8  1  0.00000000  0.31125085  0.27356052  1.0
  Si  Si9  1  0.00000000  0.68874915  0.72643948  1.0
  Si  Si10  1  0.50000000  0.81125085  0.22643948  1.0
  Si  Si11  1  0.50000000  0.18874915  0.77356052  1.0
  Tc  Tc12  1  0.00000000  0.13131246  0.05460782  1.0
  Tc  Tc13  1  0.00000000  0.86868754  0.94539218  1.0
  Tc  Tc14  1  0.50000000  0.63131246  0.44539218  1.0
  Tc  Tc15  1  0.50000000  0.36868754  0.55460782  1.0
  Tc  Tc16  1  0.00000000  0.72931114  0.31483719  1.0
  Tc  Tc17  1  0.00000000  0.27068886  0.68516281  1.0
  Tc  Tc18  1  0.50000000  0.22931114  0.18516281  1.0
  Tc  Tc19  1  0.50000000  0.77068886  0.81483719  1.0
  Tc  Tc20  1  0.00000000  0.44453897  0.41968404  1.0
  Tc  Tc21  1  0.00000000  0.55546103  0.58031596  1.0
  Tc  Tc22  1  0.50000000  0.94453897  0.08031596  1.0
  Tc  Tc23  1  0.50000000  0.05546103  0.91968404  1.0
  Tc  Tc24  1  0.00000000  0.00205628  0.20795657  1.0
  Tc  Tc25  1  0.00000000  0.99794372  0.79204343  1.0
  Tc  Tc26  1  0.50000000  0.50205628  0.29204343  1.0
  Tc  Tc27  1  0.50000000  0.49794372  0.70795657  1.0
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