导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tb10In5BiSe2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3305834 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Tb10In5BiSe2
MP-ID
mp-3305834
元素数
4
位点数
18
密度
8.4493
g/cm³
体积
497.27
ų
晶胞参数 a
9.1847
Å
晶胞参数 b
9.2123
Å
晶胞参数 c
6.7933
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.10
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.14 7.9459 2.4 (1,0,0)
17.15 5.1701 1.2 (1,-1,1)
17.15 5.1700 1.2 (0,1,1)
17.17 5.1635 1.5 (1,0,1)
19.27 4.6062 3.5 (1,-2,0)
19.33 4.5923 1.2 (2,-1,0)
19.33 4.5921 1.2 (1,1,0)
22.31 3.9851 1.1 (2,-2,0)
22.31 3.9849 1.1 (0,2,0)
23.38 3.8046 1.5 (2,-1,1)
23.38 3.8044 1.5 (1,1,1)
26.24 3.3967 36.3 (0,0,2)
28.57 3.1247 4.4 (1,-1,2)
28.57 3.1247 4.4 (0,1,2)
28.58 3.1233 11.3 (1,0,2)
29.63 3.0150 5.9 (2,-3,0)
29.63 3.0150 5.9 (1,-3,0)
29.69 3.0086 7.8 (3,-2,0)
29.70 3.0084 7.8 (1,2,0)
29.73 3.0046 10.9 (3,-1,0)
29.74 3.0045 10.9 (2,1,0)
32.49 2.7558 49.2 (2,-3,1)
32.49 2.7558 49.2 (1,-3,1)
32.55 2.7509 48.7 (3,-2,1)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.98731
eV/atom
能量/原子
-29.44746
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-29.4475
eV/atom
体积/原子
27.63
ų
c/a 比
0.7396

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0152
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tb · 0.556
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0871
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.0379
J/mol·K
Ω 参数
11.9422
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.087%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4982
越小混合越稳定
VEC
6.556
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.840
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7842
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3305834
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb10In5BiSe2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3305834, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tb10In5BiSe2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.18465111
_cell_length_b   9.21233744
_cell_length_c   6.79332116
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.10308541
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb10In5BiSe2
_chemical_formula_sum   'Tb10 In5 Bi1 Se2'
_cell_volume   497.27109453
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.66432142  0.33520987  0.49568539  1.0
  Tb  Tb1  1  0.33569066  0.67089741  0.49568400  1.0
  Tb  Tb2  1  0.33569066  0.67089741  0.00431600  1.0
  Tb  Tb3  1  0.66432142  0.33520987  0.00431461  1.0
  Tb  Tb4  1  0.75168277  0.74916975  0.25000000  1.0
  Tb  Tb5  1  0.24832947  0.99748493  0.25000000  1.0
  Tb  Tb6  1  0.00000349  0.25143294  0.25000000  1.0
  Tb  Tb7  1  0.25256050  0.24583944  0.75000000  1.0
  Tb  Tb8  1  0.74745521  0.99328046  0.75000000  1.0
  Tb  Tb9  1  0.00000692  0.75009917  0.75000000  1.0
  In  In10  1  0.39860588  0.40017433  0.25000000  1.0
  In  In11  1  0.60141430  0.00156336  0.25000000  1.0
  In  In12  1  0.00000551  0.60288520  0.25000000  1.0
  In  In13  1  0.59799967  0.59883471  0.75000000  1.0
  In  In14  1  0.40200968  0.00083471  0.75000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.00000581  0.39487353  0.75000000  1.0
  Se  Se16  1  0.99994832  0.00065596  0.50046870  1.0
  Se  Se17  1  0.99994832  0.00065596  0.99953130  1.0
获取直接链接