Th10Ga2Sn5Bi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3305912 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10Ga2Sn5Bi

MP-ID

mp-3305912

元素数

位点数

密度

10.2825

g/cm³

体积

526.84

Å³

晶胞参数 a

9.6308

晶胞参数 b

9.6308

晶胞参数 c

6.5606

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.03

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
10.61	8.3383	2.1	(1,0,-1,0)
18.43	4.8135	1.3	(1,1,-2,0)
21.30	4.1708	1.8	(2,-2,0,0)
21.31	4.1692	7.6	(2,0,-2,0)
22.91	3.8819	8.0	(2,-1,-1,1)
22.92	3.8810	3.2	(1,1,-2,1)
27.19	3.2803	13.2	(0,0,0,2)
28.31	3.1526	11.7	(3,-2,-1,0)
28.31	3.1521	7.8	(3,-1,-2,0)
28.32	3.1512	7.6	(2,1,-3,0)
29.26	3.0527	7.4	(1,-1,0,2)
29.26	3.0526	4.1	(0,1,-1,2)
29.26	3.0526	4.1	(1,0,-1,2)
31.48	2.8416	30.2	(3,-2,-1,1)
31.49	2.8412	39.8	(3,-1,-2,1)
31.50	2.8405	39.6	(2,1,-3,1)
32.19	2.7805	38.2	(3,-3,0,0)
32.21	2.7794	36.0	(0,3,-3,0)
32.21	2.7794	36.0	(3,0,-3,0)
33.04	2.7110	100.0	(2,-1,-1,2)
33.05	2.7107	45.7	(1,1,-2,2)
34.80	2.5780	1.1	(2,0,-2,2)
37.35	2.4077	1.6	(4,-2,-2,0)
41.38	2.1818	5.3	(4,-3,-1,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.67485

eV/atom

能量/原子

-52.88993

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-52.8899

eV/atom

体积/原子

29.27

Å³

c/a 比

0.6812

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0065

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0871

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.0379

J/mol·K

Ω 参数

279.2715

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

10.093%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3167

越小混合越稳定

VEC

2.833

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.045

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7842

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgckm

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3305912

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10Ga2Sn5Bi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3305912, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10Ga2Sn5Bi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.63075309
_cell_length_b   9.63075327
_cell_length_c   6.56059323
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.02599306
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10Ga2Sn5Bi
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga2 Sn5 Bi1'
_cell_volume   526.84205753
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.73770260  0.73770260  0.75000000  1.0
  Th  Th1  1  0.26277651  0.99696340  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.99696340  0.26277651  0.75000000  1.0
  Th  Th3  1  0.26367676  0.26367676  0.25000000  1.0
  Th  Th4  1  0.73561218  0.99936496  0.25000000  1.0
  Th  Th5  1  0.99936496  0.73561218  0.25000000  1.0
  Th  Th6  1  0.66934136  0.33213619  0.00134935  1.0
  Th  Th7  1  0.33213619  0.66934136  0.00134935  1.0
  Th  Th8  1  0.33213619  0.66934136  0.49865065  1.0
  Th  Th9  1  0.66934136  0.33213619  0.49865065  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00071629  0.00071629  0.00023097  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00071629  0.00071629  0.49976903  1.0
  Sn  Sn12  1  0.61551195  0.99924968  0.75000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.99924968  0.61551195  0.75000000  1.0
  Sn  Sn14  1  0.61562245  0.61562245  0.25000000  1.0
  Sn  Sn15  1  0.38341270  0.00034580  0.25000000  1.0
  Sn  Sn16  1  0.00034580  0.38341270  0.25000000  1.0
  Bi  Bi17  1  0.38537332  0.38537332  0.75000000  1.0

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