Tm4GaTc4Os3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3305947 · 空间群: Pm (#6)

Materials Project API

基础信息

化学式

Tm4GaTc4Os3

MP-ID

mp-3305947

元素数

位点数

密度

13.3733

g/cm³

体积

212.10

Å³

晶胞参数 a

5.1970

晶胞参数 b

5.2528

晶胞参数 c

8.8570

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

118.69

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
9.99	8.8570	13.8	(0,0,1)
19.26	4.6078	9.0	(0,1,0)
19.75	4.4944	6.3	(1,-1,0)
20.05	4.4285	6.9	(0,0,2)
21.74	4.0877	1.3	(0,1,1)
21.93	4.0535	5.5	(1,0,1)
27.94	3.1930	1.2	(0,1,2)
28.09	3.1765	4.4	(1,0,2)
30.27	2.9523	1.1	(0,0,3)
33.64	2.6639	37.3	(1,1,0)
34.15	2.6253	52.7	(1,-2,0)
34.52	2.5981	30.6	(2,-1,0)
35.18	2.5510	1.3	(1,1,1)
36.13	2.4859	66.2	(0,1,3)
36.25	2.4781	39.5	(1,0,3)
36.41	2.4676	59.0	(1,-1,3)
39.10	2.3039	4.3	(0,2,0)
39.48	2.2827	96.0	(1,1,2)
39.53	2.2795	4.1	(2,0,0)
39.92	2.2583	66.8	(1,-2,2)
40.13	2.2472	3.6	(2,-2,0)
40.24	2.2409	100.0	(2,-1,2)
40.45	2.2297	45.9	(0,2,1)
40.75	2.2143	39.2	(0,0,4)

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能量属性

形成能/原子

-0.45213

eV/atom

能量/原子

-35.01391

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-35.0139

eV/atom

体积/原子

17.67

Å³

c/a 比

1.7043

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0084

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000040

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Tm · 0.333

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2861

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6923

J/mol·K

Ω 参数

260.5615

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.712%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3765

越小混合越稳定

VEC

8.250

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.093

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9277

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgclv

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3305947

参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm4GaTc4Os3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3305947, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Tm4GaTc4Os3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.19699522
_cell_length_b   5.25275615
_cell_length_c   8.85702162
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   118.69072889
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm4GaTc4Os3
_chemical_formula_sum   'Tm4 Ga1 Tc4 Os3'
_cell_volume   212.09854890
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.66462321  0.32867738  0.55806810  1.0
  Tm  Tm1  1  0.33169366  0.66707733  0.43451960  1.0
  Tm  Tm2  1  0.33169366  0.66707733  0.06548040  1.0
  Tm  Tm3  1  0.66462321  0.32867738  0.94193190  1.0
  Ga  Ga4  1  0.17190805  0.34187716  0.75000000  1.0
  Tc  Tc5  1  0.18690384  0.84081215  0.75000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.65590428  0.83944867  0.75000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.83400286  0.66876875  0.25000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.83257941  0.17530201  0.25000000  1.0
  Os  Os9  1  0.98886618  0.98300480  0.50358374  1.0
  Os  Os10  1  0.98886618  0.98300480  0.99641626  1.0
  Os  Os11  1  0.34833445  0.17626926  0.25000000  1.0

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