Hf3Ta2Ga3N

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3306521 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

Materials Project API

基础信息

化学式

Hf3Ta2Ga3N

MP-ID

mp-3306521

元素数

位点数

密度

12.8644

g/cm³

体积

289.28

Å³

晶胞参数 a

7.8200

晶胞参数 b

7.8200

晶胞参数 c

5.4623

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mcm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
22.74	3.9100	17.6	(2,-1,-1,0)
26.32	3.3861	23.9	(2,0,-2,0)
28.07	3.1794	27.5	(2,-1,-1,1)
32.79	2.7312	16.5	(0,0,0,2)
35.06	2.5597	74.2	(3,-1,-2,0)
35.06	2.5597	14.8	(2,1,-3,0)
35.44	2.5330	60.5	(1,0,-1,2)
38.85	2.3178	100.0	(3,-2,-1,1)
38.85	2.3178	100.0	(3,-1,-2,1)
39.94	2.2574	58.1	(3,0,-3,0)
40.28	2.2390	47.2	(1,-2,1,2)
40.28	2.2390	94.5	(2,-1,-1,2)
42.52	2.1259	1.9	(2,-2,0,2)
42.52	2.1259	3.8	(2,0,-2,2)
46.45	1.9550	3.3	(4,-2,-2,0)
46.45	1.9550	1.6	(2,2,-4,0)
48.46	1.8783	4.6	(4,-1,-3,0)
48.76	1.8677	1.7	(3,-1,-2,2)
49.52	1.8407	11.2	(4,-2,-2,1)
51.45	1.7762	2.8	(4,-1,-3,1)
52.60	1.7400	7.7	(3,0,-3,2)
54.17	1.6931	5.1	(4,-4,0,0)
54.17	1.6931	2.6	(4,0,-4,0)
55.69	1.6506	4.4	(2,-1,-1,3)

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能量属性

形成能/原子

-0.88858

eV/atom

能量/原子

-31.56580

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-31.5658

eV/atom

体积/原子

16.07

Å³

c/a 比

0.6985

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0041

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Hf · 0.333

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.111

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

0.3989

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

17.718%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.5155

越小混合越稳定

VEC

4.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-45.746

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgdhx

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3306521

参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf3Ta2Ga3N were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3306521, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Hf3Ta2Ga3N
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.81994502
_cell_length_b   7.81994518
_cell_length_c   5.46234026
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000347
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf3Ta2Ga3N
_chemical_formula_sum   'Hf6 Ta4 Ga6 N2'
_cell_volume   289.27891115
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.23325062  1.00000000  0.25000000  1.0
  Hf  Hf1  1  0.76674938  0.00000000  0.75000000  1.0
  Hf  Hf2  1  1.00000000  0.23325062  0.25000000  1.0
  Hf  Hf3  1  0.00000000  0.76674938  0.75000000  1.0
  Hf  Hf4  1  0.76674938  0.76674938  0.25000000  1.0
  Hf  Hf5  1  0.23325062  0.23325062  0.75000000  1.0
  Ta  Ta6  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Ta  Ta7  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Ta  Ta8  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Ta  Ta9  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.59267396  1.00000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.40732604  0.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga12  1  1.00000000  0.59267396  0.25000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.00000000  0.40732604  0.75000000  1.0
  Ga  Ga14  1  0.40732604  0.40732604  0.25000000  1.0
  Ga  Ga15  1  0.59267396  0.59267396  0.75000000  1.0
  N  N16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  N  N17  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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