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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th4Ga9GePd6

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3306643 · 空间群: I222 (#23)

基础信息

化学式
Th4Ga9GePd6
MP-ID
mp-3306643
元素数
4
位点数
20
密度
9.8911
g/cm³
体积
380.56
ų
晶胞参数 a
6.0374
Å
晶胞参数 b
8.5568
Å
晶胞参数 c
8.5567
Å
α 角
73.57
°
β 角
69.32
°
γ 角
69.32
°
空间群
I222
点群
222
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.80925
eV/atom
能量/原子
-28.23529
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-28.2353
eV/atom
体积/原子
19.03
ų
c/a 比
1.4173

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0006
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.450
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.550
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1922
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.9119
J/mol·K
Ω 参数
0.7364
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.576%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3147
越小混合越稳定
VEC
4.950
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-15.726
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8600
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3306643
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th4Ga9GePd6 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3306643, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th4Ga9GePd6
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.03742342
_cell_length_b   8.55678096
_cell_length_c   8.55671796
_cell_angle_alpha   73.56961686
_cell_angle_beta   69.32196510
_cell_angle_gamma   69.32218878
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th4Ga9GePd6
_chemical_formula_sum   'Th4 Ga9 Ge1 Pd6'
_cell_volume   380.56013622
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.62823432  0.09926765  0.63835382  1.0
  Th  Th1  1  0.36654465  0.90061073  0.36141645  1.0
  Th  Th2  1  0.13345957  0.63859627  0.09937264  1.0
  Th  Th3  1  0.87176716  0.36166072  0.90071615  1.0
  Ga  Ga4  1  0.47241255  0.27706208  0.27670091  1.0
  Ga  Ga5  1  0.52819745  0.72168637  0.72205742  1.0
  Ga  Ga6  1  0.02758213  0.72328917  0.72294464  1.0
  Ga  Ga7  1  0.97179773  0.27794108  0.27832628  1.0
  Ga  Ga8  1  0.89155498  0.75911885  0.45506047  1.0
  Ga  Ga9  1  0.10453160  0.24116387  0.54507410  1.0
  Ga  Ga10  1  0.39548001  0.45494232  0.75883047  1.0
  Ga  Ga11  1  0.60844536  0.54494667  0.24088020  1.0
  Ga  Ga12  1  0.75000362  0.99951482  0.00047933  1.0
  Ge  Ge13  1  0.24999998  0.99977893  0.00020813  1.0
  Pd  Pd14  1  0.86026114  0.02831870  0.24862389  1.0
  Pd  Pd15  1  0.13732709  0.97201357  0.75161434  1.0
  Pd  Pd16  1  0.36266921  0.24838216  0.02796927  1.0
  Pd  Pd17  1  0.63973641  0.75138615  0.97167343  1.0
  Pd  Pd18  1  0.74999478  0.50065701  0.49936009  1.0
  Pd  Pd19  1  0.25000225  0.49966488  0.50033898  1.0
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