Th4Ga9GePd6
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3306643 · 空间群: I222 (#23)
基础信息
化学式
Th4Ga9GePd6
MP-ID
mp-3306643
元素数
4
位点数
20
密度
9.8911
g/cm³
体积
380.56
ų
晶胞参数 a
6.0374
Å
晶胞参数 b
8.5568
Å
晶胞参数 c
8.5567
Å
α 角
73.57
°
β 角
69.32
°
γ 角
69.32
°
空间群
I222
点群
222
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 17.31 | 5.1239 | 8.2 | (0,1,-1) |
| 22.38 | 3.9727 | 14.6 | (1,2,1) |
| 22.38 | 3.9727 | 14.6 | (1,1,2) |
| 22.39 | 3.9711 | 14.5 | (1,-1,0) |
| 22.39 | 3.9711 | 14.5 | (1,0,-1) |
| 22.59 | 3.9369 | 1.6 | (0,2,0) |
| 22.59 | 3.9369 | 1.6 | (0,0,2) |
| 23.37 | 3.8072 | 5.1 | (0,2,1) |
| 23.37 | 3.8071 | 5.1 | (0,1,2) |
| 27.09 | 3.2914 | 4.4 | (0,2,-1) |
| 27.09 | 3.2914 | 4.4 | (0,1,-2) |
| 29.03 | 3.0755 | 53.7 | (0,2,2) |
| 29.59 | 3.0187 | 50.7 | (2,1,1) |
| 31.63 | 2.8289 | 1.3 | (1,3,1) |
| 31.63 | 2.8289 | 1.3 | (1,1,3) |
| 31.64 | 2.8281 | 1.4 | (1,-2,0) |
| 31.64 | 2.8281 | 1.4 | (1,0,-2) |
| 31.74 | 2.8189 | 3.5 | (2,2,1) |
| 31.74 | 2.8189 | 3.5 | (2,1,2) |
| 31.75 | 2.8184 | 3.6 | (2,0,1) |
| 31.75 | 2.8184 | 3.6 | (2,1,0) |
| 33.05 | 2.7104 | 1.2 | (2,2,2) |
| 33.06 | 2.7095 | 1.1 | (2,0,0) |
| 33.47 | 2.6770 | 65.7 | (1,3,0) |
能量属性
形成能/原子
-0.80925
eV/atom
能量/原子
-28.23529
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-28.2353
eV/atom
体积/原子
19.03
ų
c/a 比
1.4173
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0006
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.450
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.550
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1922
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.9119
J/mol·K
Ω 参数
0.7364
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.576%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3147
越小混合越稳定
VEC
4.950
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-15.726
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8600
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3306643
参考引用
The crystal structure and related material properties of Th4Ga9GePd6 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3306643, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th4Ga9GePd6
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.03742342
_cell_length_b 8.55678096
_cell_length_c 8.55671796
_cell_angle_alpha 73.56961686
_cell_angle_beta 69.32196510
_cell_angle_gamma 69.32218878
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Th4Ga9GePd6
_chemical_formula_sum 'Th4 Ga9 Ge1 Pd6'
_cell_volume 380.56013622
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.62823432 0.09926765 0.63835382 1.0
Th Th1 1 0.36654465 0.90061073 0.36141645 1.0
Th Th2 1 0.13345957 0.63859627 0.09937264 1.0
Th Th3 1 0.87176716 0.36166072 0.90071615 1.0
Ga Ga4 1 0.47241255 0.27706208 0.27670091 1.0
Ga Ga5 1 0.52819745 0.72168637 0.72205742 1.0
Ga Ga6 1 0.02758213 0.72328917 0.72294464 1.0
Ga Ga7 1 0.97179773 0.27794108 0.27832628 1.0
Ga Ga8 1 0.89155498 0.75911885 0.45506047 1.0
Ga Ga9 1 0.10453160 0.24116387 0.54507410 1.0
Ga Ga10 1 0.39548001 0.45494232 0.75883047 1.0
Ga Ga11 1 0.60844536 0.54494667 0.24088020 1.0
Ga Ga12 1 0.75000362 0.99951482 0.00047933 1.0
Ge Ge13 1 0.24999998 0.99977893 0.00020813 1.0
Pd Pd14 1 0.86026114 0.02831870 0.24862389 1.0
Pd Pd15 1 0.13732709 0.97201357 0.75161434 1.0
Pd Pd16 1 0.36266921 0.24838216 0.02796927 1.0
Pd Pd17 1 0.63973641 0.75138615 0.97167343 1.0
Pd Pd18 1 0.74999478 0.50065701 0.49936009 1.0
Pd Pd19 1 0.25000225 0.49966488 0.50033898 1.0
