Tm10GaSi3Bi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3306654 · 空间群: Cm (#8)

Materials Project API

基础信息

化学式

Tm10GaSi3Bi4

MP-ID

mp-3306654

元素数

位点数

密度

9.5778

g/cm³

体积

464.51

Å³

晶胞参数 a

8.5071

晶胞参数 b

8.5071

晶胞参数 c

7.8489

α 角

89.76

β 角

89.76

γ 角

125.14

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.72	7.5506	4.7	(1,-1,0)
16.96	5.2273	10.9	(1,0,1)
17.10	5.1851	17.0	(1,0,-1)
22.66	3.9243	19.5	(0,0,2)
22.69	3.9190	19.6	(1,1,0)
23.57	3.7753	13.9	(2,-2,0)
23.82	3.7351	2.2	(2,-1,1)
25.31	3.5192	45.7	(1,1,1)
25.50	3.4934	43.8	(1,1,-1)
25.58	3.4821	19.0	(1,-1,2)
25.61	3.4784	19.2	(2,0,0)
25.98	3.4300	39.7	(1,0,2)
26.16	3.4061	38.3	(1,0,-2)
30.99	2.8858	42.0	(2,-1,2)
31.15	2.8715	40.4	(2,-1,-2)
32.13	2.7859	67.8	(1,1,2)
32.43	2.7604	57.7	(1,1,-2)
32.92	2.7207	97.7	(2,-2,2)
32.94	2.7189	96.3	(3,-1,0)
33.76	2.6552	48.6	(2,-3,-1)
33.76	2.6552	48.6	(3,-2,1)
33.83	2.6496	100.0	(3,-2,-1)
34.31	2.6136	4.6	(2,0,2)
34.60	2.5925	8.5	(2,0,-2)

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能量属性

形成能/原子

-0.87833

eV/atom

能量/原子

-35.48853

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-35.4885

eV/atom

体积/原子

25.81

Å³

c/a 比

0.9226

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0298

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000060

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Tm · 0.556

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.167

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1200

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.3116

J/mol·K

Ω 参数

12.3676

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

13.537%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3509

越小混合越稳定

VEC

9.167

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.076

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8079

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgdna

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3306654

参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm10GaSi3Bi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3306654, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Tm10GaSi3Bi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.50710010
_cell_length_b   8.50710092
_cell_length_c   7.84890756
_cell_angle_alpha   89.75714133
_cell_angle_beta   89.75714227
_cell_angle_gamma   125.13619157
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm10GaSi3Bi4
_chemical_formula_sum   'Tm10 Ga1 Si3 Bi4'
_cell_volume   464.50865910
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.54125487  0.78574331  0.16383294  1.0
  Tm  Tm1  1  0.28167525  0.04186340  0.33735233  1.0
  Tm  Tm2  1  0.21553792  0.45923235  0.83729699  1.0
  Tm  Tm3  1  0.95847894  0.71622528  0.66274226  1.0
  Tm  Tm4  1  0.71622528  0.95847894  0.66274226  1.0
  Tm  Tm5  1  0.45923235  0.21553792  0.83729699  1.0
  Tm  Tm6  1  0.78574331  0.54125487  0.16383294  1.0
  Tm  Tm7  1  0.04186340  0.28167525  0.33735233  1.0
  Tm  Tm8  1  0.49907168  0.49907168  0.49890040  1.0
  Tm  Tm9  1  0.00062396  0.00062396  0.00035268  1.0
  Ga  Ga10  1  0.63628457  0.63628457  0.86571015  1.0
  Si  Si11  1  0.13837107  0.13837107  0.63890170  1.0
  Si  Si12  1  0.85988439  0.85988439  0.36268825  1.0
  Si  Si13  1  0.36545408  0.36545408  0.13387646  1.0
  Bi  Bi14  1  0.29139530  0.70505418  0.49879049  1.0
  Bi  Bi15  1  0.20826313  0.79558734  0.99977216  1.0
  Bi  Bi16  1  0.70505418  0.29139530  0.49879049  1.0
  Bi  Bi17  1  0.79558734  0.20826313  0.99977216  1.0

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