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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Hf2V3GaSi3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3307161 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
Hf2V3GaSi3
MP-ID
mp-3307161
元素数
4
位点数
36
密度
8.2378
g/cm³
体积
535.21
ų
晶胞参数 a
6.4602
Å
晶胞参数 b
6.5765
Å
晶胞参数 c
12.5975
Å
α 角
89.99
°
β 角
89.95
°
γ 角
90.09
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.71922
eV/atom
能量/原子
-19.64540
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.6454
eV/atom
体积/原子
14.87
ų
c/a 比
1.9500

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0280
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000050
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.333
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3108
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.8979
J/mol·K
Ω 参数
0.4953
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.448%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2253
越小混合越稳定
VEC
4.222
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-41.374
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9455
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3307161
参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf2V3GaSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3307161, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Hf2V3GaSi3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.46019325
_cell_length_b   6.57648861
_cell_length_c   12.59747685
_cell_angle_alpha   89.99066016
_cell_angle_beta   89.95312171
_cell_angle_gamma   90.08712052
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf2V3GaSi3
_chemical_formula_sum   'Hf8 V12 Ga4 Si12'
_cell_volume   535.20787774
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.99483826  0.16861347  0.09386054  1.0
  Hf  Hf1  1  0.00750343  0.83124445  0.90403685  1.0
  Hf  Hf2  1  0.50291060  0.67296620  0.90370688  1.0
  Hf  Hf3  1  0.00325438  0.83184768  0.59905274  1.0
  Hf  Hf4  1  0.49060417  0.32785199  0.09472461  1.0
  Hf  Hf5  1  0.98910000  0.16767896  0.40278623  1.0
  Hf  Hf6  1  0.49412097  0.32840353  0.40226417  1.0
  Hf  Hf7  1  0.50779785  0.67155983  0.60005219  1.0
  V  V8  1  0.16664811  0.49162541  0.75409802  1.0
  V  V9  1  0.83561271  0.50883621  0.24967634  1.0
  V  V10  1  0.33449877  0.99174241  0.24600267  1.0
  V  V11  1  0.66715814  0.00775021  0.75052433  1.0
  V  V12  1  0.34637528  0.16881399  0.63013732  1.0
  V  V13  1  0.66383299  0.83575130  0.37141731  1.0
  V  V14  1  0.16031906  0.66784260  0.36881844  1.0
  V  V15  1  0.65693808  0.83720903  0.12550219  1.0
  V  V16  1  0.83325035  0.32420578  0.62865947  1.0
  V  V17  1  0.33814373  0.17008746  0.87634640  1.0
  V  V18  1  0.84150504  0.32555459  0.87388725  1.0
  V  V19  1  0.16867920  0.67007710  0.12430429  1.0
  Ga  Ga20  1  0.17310774  0.45705519  0.54026575  1.0
  Ga  Ga21  1  0.82714476  0.54270312  0.46103042  1.0
  Ga  Ga22  1  0.32512725  0.95578741  0.46088446  1.0
  Ga  Ga23  1  0.82666128  0.54354542  0.04028877  1.0
  Si  Si24  1  0.04206072  0.12571116  0.75002150  1.0
  Si  Si25  1  0.96064116  0.87476360  0.24766421  1.0
  Si  Si26  1  0.46314919  0.62456025  0.24978430  1.0
  Si  Si27  1  0.53954812  0.37558482  0.75235360  1.0
  Si  Si28  1  0.30309457  0.86809364  0.75040149  1.0
  Si  Si29  1  0.69728593  0.13568737  0.24876872  1.0
  Si  Si30  1  0.19553013  0.36616936  0.24949897  1.0
  Si  Si31  1  0.80520877  0.62968252  0.75123816  1.0
  Si  Si32  1  0.66927937  0.04129074  0.53818565  1.0
  Si  Si33  1  0.16835498  0.45886818  0.96057550  1.0
  Si  Si34  1  0.66951173  0.04262648  0.96069905  1.0
  Si  Si35  1  0.33120519  0.95820853  0.03848121  1.0
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