Ta3BeV2Ga3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3307261 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ta3BeV2Ga3

MP-ID

mp-3307261

元素数

位点数

密度

10.9778

g/cm³

体积

261.05

Å³

晶胞参数 a

7.6628

晶胞参数 b

7.6628

晶胞参数 c

5.1336

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mcm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.34	6.6362	8.9	(1,0,-1,0)
23.22	3.8314	19.0	(2,-1,-1,0)
26.87	3.3181	4.4	(2,0,-2,0)
29.08	3.0705	30.0	(2,-1,-1,1)
34.96	2.5668	27.8	(0,0,0,2)
35.80	2.5082	16.7	(3,-1,-2,0)
37.57	2.3940	8.1	(1,0,-1,2)
40.01	2.2536	100.0	(3,-1,-2,1)
40.79	2.2121	28.9	(3,0,-3,0)
42.39	2.1325	37.1	(2,-1,-1,2)
50.90	1.7939	4.4	(3,-1,-2,2)
52.84	1.7326	8.7	(4,-1,-3,1)
54.78	1.6757	7.8	(3,0,-3,2)
55.38	1.6590	10.1	(4,0,-4,0)
59.13	1.5624	4.4	(2,-1,-1,3)
60.28	1.5353	7.5	(4,-2,-2,2)
60.84	1.5224	1.2	(5,-2,-3,0)
62.05	1.4958	3.1	(4,-1,-3,2)
63.76	1.4596	19.4	(5,-2,-3,1)
64.33	1.4481	1.8	(5,-1,-4,0)
66.10	1.4136	22.8	(3,-1,-2,3)
67.19	1.3933	16.0	(4,0,-4,2)
71.02	1.3272	1.6	(5,0,-5,0)
73.84	1.2834	5.4	(0,0,0,4)

获取直接链接

能量属性

形成能/原子

-0.33676

eV/atom

能量/原子

-23.96131

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-23.9613

eV/atom

体积/原子

14.50

Å³

c/a 比

0.6699

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0002

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ta · 0.333

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

13.8957

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

7.305%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1294

越小混合越稳定

VEC

4.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.456

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgekj

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3307261

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta3BeV2Ga3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3307261, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick | 拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移

原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ta3BeV2Ga3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.66279996
_cell_length_b   7.66279997
_cell_length_c   5.13359091
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999998
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta3BeV2Ga3
_chemical_formula_sum   'Ta6 Be2 V4 Ga6'
_cell_volume   261.05190440
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.25938591  0.00000000  0.25000000  1.0
  Ta  Ta1  1  0.74061409  0.00000000  0.75000000  1.0
  Ta  Ta2  1  0.00000000  0.25938591  0.25000000  1.0
  Ta  Ta3  1  0.00000000  0.74061409  0.75000000  1.0
  Ta  Ta4  1  0.74061409  0.74061409  0.25000000  1.0
  Ta  Ta5  1  0.25938591  0.25938591  0.75000000  1.0
  Be  Be6  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Be  Be7  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  V  V8  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  V  V9  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  V  V10  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  V  V11  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.60294738  0.00000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.39705262  0.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga14  1  0.00000000  0.60294738  0.25000000  1.0
  Ga  Ga15  1  0.00000000  0.39705262  0.75000000  1.0
  Ga  Ga16  1  0.39705262  0.39705262  0.25000000  1.0
  Ga  Ga17  1  0.60294738  0.60294738  0.75000000  1.0

获取直接链接