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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho2Sc3GaSi3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3308240 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
Ho2Sc3GaSi3
MP-ID
mp-3308240
元素数
4
位点数
36
密度
5.5569
g/cm³
体积
739.54
ų
晶胞参数 a
7.1045
Å
晶胞参数 b
7.3925
Å
晶胞参数 c
14.0813
Å
α 角
90.04
°
β 角
89.95
°
γ 角
90.10
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.85056
eV/atom
能量/原子
-16.15303
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.1530
eV/atom
体积/原子
20.54
ų
c/a 比
1.9820

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.5758
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000780
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Sc · 0.333
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.333
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3108
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.8979
J/mol·K
Ω 参数
0.7204
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.185%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2881
越小混合越稳定
VEC
5.111
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-23.991
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9455
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3308240
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho2Sc3GaSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3308240, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho2Sc3GaSi3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.10445096
_cell_length_b   7.39251368
_cell_length_c   14.08126301
_cell_angle_alpha   90.03869562
_cell_angle_beta   89.95407933
_cell_angle_gamma   90.09526818
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho2Sc3GaSi3
_chemical_formula_sum   'Ho8 Sc12 Ga4 Si12'
_cell_volume   739.54299789
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.01225741  0.17541104  0.09696368  1.0
  Ho  Ho1  1  0.98867825  0.82464487  0.90215238  1.0
  Ho  Ho2  1  0.48741588  0.67790139  0.90146351  1.0
  Ho  Ho3  1  0.98850704  0.82578579  0.60061424  1.0
  Ho  Ho4  1  0.51142344  0.32000007  0.09707563  1.0
  Ho  Ho5  1  0.01041170  0.17671320  0.40046594  1.0
  Ho  Ho6  1  0.51116759  0.32303636  0.39987030  1.0
  Ho  Ho7  1  0.48964255  0.67692930  0.60083700  1.0
  Sc  Sc8  1  0.16326097  0.50158155  0.75117634  1.0
  Sc  Sc9  1  0.83691663  0.49783780  0.24988055  1.0
  Sc  Sc10  1  0.33590735  0.00238130  0.24855312  1.0
  Sc  Sc11  1  0.66419096  0.99788328  0.75015422  1.0
  Sc  Sc12  1  0.33152279  0.17488474  0.62754330  1.0
  Sc  Sc13  1  0.66936057  0.82574759  0.37349137  1.0
  Sc  Sc14  1  0.17049470  0.67273936  0.37329686  1.0
  Sc  Sc15  1  0.66963221  0.82577954  0.12514601  1.0
  Sc  Sc16  1  0.82949862  0.32570110  0.62662771  1.0
  Sc  Sc17  1  0.33036308  0.17593213  0.87484852  1.0
  Sc  Sc18  1  0.82819868  0.32387344  0.87471290  1.0
  Sc  Sc19  1  0.17221021  0.67553746  0.12463527  1.0
  Ga  Ga20  1  0.16103093  0.46225520  0.53996639  1.0
  Ga  Ga21  1  0.83951114  0.53773545  0.46124612  1.0
  Ga  Ga22  1  0.34000150  0.96263676  0.46130676  1.0
  Ga  Ga23  1  0.84033686  0.53770591  0.03875976  1.0
  Si  Si24  1  0.03385287  0.11509700  0.75145240  1.0
  Si  Si25  1  0.96654006  0.88543915  0.24940675  1.0
  Si  Si26  1  0.46699287  0.61324873  0.24777687  1.0
  Si  Si27  1  0.53387629  0.38636301  0.75152594  1.0
  Si  Si28  1  0.28589703  0.87159957  0.75164934  1.0
  Si  Si29  1  0.71475560  0.12817030  0.24830576  1.0
  Si  Si30  1  0.21408791  0.37092119  0.24815424  1.0
  Si  Si31  1  0.78671092  0.62948954  0.75181001  1.0
  Si  Si32  1  0.65712329  0.03511723  0.53956274  1.0
  Si  Si33  1  0.15756930  0.46432709  0.96077428  1.0
  Si  Si34  1  0.65793813  0.03487724  0.96108891  1.0
  Si  Si35  1  0.34271365  0.96471231  0.03770785  1.0
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