Dy3Ho(Si4Tc3)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3308398 · 空间群: P1 (#1)

Materials Project API

基础信息

化学式

Dy3Ho(Si4Tc3)2

MP-ID

mp-3308398

元素数

位点数

密度

8.4263

g/cm³

体积

288.73

Å³

晶胞参数 a

6.7550

晶胞参数 b

6.7519

晶胞参数 c

6.7418

α 角

69.90

β 角

90.11

γ 角

90.92

空间群

点群

晶体系统

Triclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.77356

eV/atom

能量/原子

-20.48494

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-20.4849

eV/atom

体积/原子

16.04

Å³

c/a 比

0.9980

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0036

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.444

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.556

间隙分数

0.444

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1858

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.8589

J/mol·K

Ω 参数

0.0000

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

16.435%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2817

越小混合越稳定

VEC

5.722

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.000

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8554

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahggcc

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3308398

参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy3Ho(Si4Tc3)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3308398, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Dy3Ho(Si4Tc3)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.75499592
_cell_length_b   6.75185877
_cell_length_c   6.74176645
_cell_angle_alpha   69.90473952
_cell_angle_beta   90.10955106
_cell_angle_gamma   90.92295073
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy3Ho(Si4Tc3)2
_chemical_formula_sum   'Dy3 Ho1 Si8 Tc6'
_cell_volume   288.72533289
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.16558714  0.05773858  0.80813721  1.0
  Dy  Dy1  1  0.33079003  0.56035842  0.80623868  1.0
  Dy  Dy2  1  0.82940480  0.94466586  0.19072600  1.0
  Ho  Ho3  1  0.66745782  0.43836536  0.19092227  1.0
  Si  Si4  1  0.43738343  0.11135708  0.11232600  1.0
  Si  Si5  1  0.94952748  0.38196489  0.89839336  1.0
  Si  Si6  1  0.55052772  0.87784267  0.89680725  1.0
  Si  Si7  1  0.04799122  0.62864227  0.09951251  1.0
  Si  Si8  1  0.85976930  0.13222598  0.51243114  1.0
  Si  Si9  1  0.36447841  0.36482022  0.49440343  1.0
  Si  Si10  1  0.14899297  0.87549486  0.47084656  1.0
  Si  Si11  1  0.64444385  0.62620410  0.51283488  1.0
  Tc  Tc12  1  0.49929372  0.99895589  0.49924859  1.0
  Tc  Tc13  1  0.00071272  0.50555709  0.50047022  1.0
  Tc  Tc14  1  0.14920932  0.25843137  0.24442401  1.0
  Tc  Tc15  1  0.65280626  0.25471506  0.76514109  1.0
  Tc  Tc16  1  0.84517725  0.75837062  0.75929121  1.0
  Tc  Tc17  1  0.35644456  0.72428868  0.23784760  1.0

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