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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th5GaSn2Sb

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3309058 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Th5GaSn2Sb
MP-ID
mp-3309058
元素数
4
位点数
18
密度
10.1193
g/cm³
体积
521.53
ų
晶胞参数 a
9.5865
Å
晶胞参数 b
9.5911
Å
晶胞参数 c
6.5507
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.02
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.75111
eV/atom
能量/原子
-51.19753
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-51.1975
eV/atom
体积/原子
28.97
ų
c/a 比
0.6833

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0144
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.556
元素家族
Actinide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1491
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.5533
J/mol·K
Ω 参数
17.4360
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.742%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3256
越小混合越稳定
VEC
2.889
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.779
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8289
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3309058
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th5GaSn2Sb were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3309058, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th5GaSn2Sb
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.58652494
_cell_length_b   9.59108758
_cell_length_c   6.55070507
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.01574581
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th5GaSn2Sb
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga2 Sn4 Sb2'
_cell_volume   521.52942023
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.73317203  0.73429009  0.75000000  1.0
  Th  Th1  1  0.26682797  0.00111706  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.00000000  0.26457251  0.75000000  1.0
  Th  Th3  1  0.26359988  0.26262039  0.25000000  1.0
  Th  Th4  1  0.73640012  0.99902151  0.25000000  1.0
  Th  Th5  1  0.00000000  0.73704385  0.25000000  1.0
  Th  Th6  1  0.66690885  0.33369304  0.00058293  1.0
  Th  Th7  1  0.33309115  0.66678520  0.00058293  1.0
  Th  Th8  1  0.33309115  0.66678520  0.49941707  1.0
  Th  Th9  1  0.66690885  0.33369304  0.49941707  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.99966514  0.99416184  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00000000  0.99966514  0.50583816  1.0
  Sn  Sn12  1  0.00000000  0.61655775  0.75000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.61526955  0.61464998  0.25000000  1.0
  Sn  Sn14  1  0.38473045  0.99938042  0.25000000  1.0
  Sn  Sn15  1  0.00000000  0.38474657  0.25000000  1.0
  Sb  Sb16  1  0.38520010  0.38545761  0.75000000  1.0
  Sb  Sb17  1  0.61479990  0.00025751  0.75000000  1.0
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