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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho5GaSiBi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3310368 · 空间群: C2/m (#12)

基础信息

化学式
Ho5GaSiBi2
MP-ID
mp-3310368
元素数
4
位点数
18
密度
9.2361
g/cm³
体积
481.98
ų
晶胞参数 a
8.6047
Å
晶胞参数 b
8.6047
Å
晶胞参数 c
7.9495
Å
α 角
89.58
°
β 角
89.58
°
γ 角
125.02
°
空间群
C2/m
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.13 7.9485 1.2 (0,0,1)
11.59 7.6331 4.3 (1,-1,0)
12.56 7.0464 1.5 (1,0,0)
16.70 5.3101 7.2 (1,0,1)
16.93 5.2362 19.0 (1,0,-1)
22.37 3.9743 20.5 (0,0,2)
22.39 3.9715 20.2 (1,1,0)
23.31 3.8165 10.7 (2,-2,0)
23.50 3.7853 5.4 (2,-1,1)
24.90 3.5756 41.8 (1,1,1)
25.23 3.5304 39.9 (1,1,-1)
25.26 3.5251 20.2 (1,-1,2)
25.28 3.5232 20.3 (2,0,0)
25.58 3.4827 34.8 (1,0,2)
25.89 3.4409 32.9 (1,0,-2)
27.55 3.2379 1.6 (2,0,1)
27.84 3.2042 1.3 (2,0,-1)
30.55 2.9264 49.2 (2,-1,2)
30.82 2.9015 22.9 (2,-1,-2)
30.82 2.9015 22.9 (1,-2,2)
31.59 2.8319 76.7 (1,1,2)
32.11 2.7872 56.7 (1,1,-2)
32.53 2.7528 100.0 (2,-2,2)
32.54 2.7519 99.8 (3,-1,0)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.88708
eV/atom
能量/原子
-34.40128
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.4013
eV/atom
体积/原子
26.78
ų
c/a 比
0.9239

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0195
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000040
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.556
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.111
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1491
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.5533
J/mol·K
Ω 参数
7.4978
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.428%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3565
越小混合越稳定
VEC
8.000
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.663
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8289
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3310368
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho5GaSiBi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3310368, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho5GaSiBi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.60469770
_cell_length_b   8.60469721
_cell_length_c   7.94953634
_cell_angle_alpha   89.57906733
_cell_angle_beta   89.57906983
_cell_angle_gamma   125.01742405
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho5GaSiBi2
_chemical_formula_sum   'Ho10 Ga2 Si2 Bi4'
_cell_volume   481.98110481
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.04223924  0.28448784  0.33671348  1.0
  Ho  Ho1  1  0.95776076  0.71551216  0.66328652  1.0
  Ho  Ho2  1  0.46042459  0.21206694  0.83633194  1.0
  Ho  Ho3  1  0.78793306  0.53957541  0.16366806  1.0
  Ho  Ho4  1  0.53957541  0.78793306  0.16366806  1.0
  Ho  Ho5  1  0.21206694  0.46042459  0.83633194  1.0
  Ho  Ho6  1  0.71551216  0.95776076  0.66328652  1.0
  Ho  Ho7  1  0.28448784  0.04223924  0.33671348  1.0
  Ho  Ho8  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ho  Ho9  1  0.50000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.36696259  0.36696259  0.13255921  1.0
  Ga  Ga11  1  0.63303741  0.63303741  0.86744079  1.0
  Si  Si12  1  0.14078749  0.14078749  0.63918643  1.0
  Si  Si13  1  0.85921251  0.85921251  0.36081357  1.0
  Bi  Bi14  1  0.79409156  0.20590844  1.00000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.20590844  0.79409156  0.00000000  1.0
  Bi  Bi16  1  0.70693691  0.29306309  0.50000000  1.0
  Bi  Bi17  1  0.29306309  0.70693691  0.50000000  1.0
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