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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Sm2Si4Tc7W

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3312047 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
Sm2Si4Tc7W
MP-ID
mp-3312047
元素数
4
位点数
14
密度
9.4132
g/cm³
体积
226.31
ų
晶胞参数 a
7.7521
Å
晶胞参数 b
6.9756
Å
晶胞参数 c
4.1851
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.09
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.55654
eV/atom
能量/原子
-23.96235
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.9624
eV/atom
体积/原子
16.17
ų
c/a 比
0.5399

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0030
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.500
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.286
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1710
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.7357
J/mol·K
Ω 参数
8.5593
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.377%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2935
越小混合越稳定
VEC
4.929
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.449
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8447
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3312047
参考引用

The crystal structure and related material properties of Sm2Si4Tc7W were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3312047, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Sm2Si4Tc7W
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.75205735
_cell_length_b   6.97562216
_cell_length_c   4.18509927
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.09220397
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Sm2Si4Tc7W
_chemical_formula_sum   'Sm2 Si4 Tc7 W1'
_cell_volume   226.31072039
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Sm  Sm0  1  0.50058150  0.49930467  0.00000000  1.0
  Sm  Sm1  1  0.00219807  0.99975365  0.50000000  1.0
  Si  Si2  1  0.69142457  0.73148211  0.50000000  1.0
  Si  Si3  1  0.30619047  0.27142055  0.50000000  1.0
  Si  Si4  1  0.19174061  0.76820154  0.00000000  1.0
  Si  Si5  1  0.81156271  0.23318592  0.00000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.38899520  0.84424082  0.50000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.11057844  0.34863079  0.00000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.89106675  0.65346904  0.00000000  1.0
  Tc  Tc9  1  0.15746792  0.57827116  0.50000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.84207207  0.42230489  0.50000000  1.0
  Tc  Tc11  1  0.33672279  0.07866958  0.00000000  1.0
  Tc  Tc12  1  0.65949044  0.92325463  0.00000000  1.0
  W  W13  1  0.60990945  0.14780965  0.50000000  1.0
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