Th10Sn3Ge2Bi3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3313562 · 空间群: P-62m (#189)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10Sn3Ge2Bi3

MP-ID

mp-3313562

元素数

位点数

密度

10.7747

g/cm³

体积

531.50

Å³

晶胞参数 a

9.6434

晶胞参数 b

9.6434

晶胞参数 c

6.5996

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-62m

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.42	6.5996	1.8	(0,0,0,1)
18.40	4.8217	2.3	(2,-1,-1,0)
21.28	4.1757	3.0	(2,0,-2,0)
22.84	3.8933	3.6	(2,-1,-1,1)
27.02	3.2998	11.3	(0,0,0,2)
28.27	3.1565	19.3	(3,-1,-2,0)
29.10	3.0689	9.0	(1,0,-1,2)
31.42	2.8476	57.2	(3,-1,-2,1)
31.42	2.8476	28.6	(2,-3,1,1)
32.15	2.7838	70.6	(3,0,-3,0)
32.89	2.7231	100.0	(2,-1,-1,2)
34.65	2.5890	2.0	(2,0,-2,2)
37.30	2.4109	1.1	(4,-2,-2,0)
38.88	2.3163	1.2	(4,-1,-3,0)
39.81	2.2645	1.6	(4,-2,-2,1)
41.31	2.1856	14.1	(4,-1,-3,1)
43.34	2.0879	2.1	(4,0,-4,0)
43.34	2.0879	1.1	(4,-4,0,0)
46.66	1.9467	27.7	(4,-2,-2,2)
47.99	1.8958	3.2	(4,-1,-3,2)
49.54	1.8400	16.4	(5,-2,-3,1)
50.05	1.8224	9.1	(5,-1,-4,0)
50.57	1.8048	23.4	(3,-1,-2,3)
51.82	1.7643	12.6	(4,0,-4,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.77935

eV/atom

能量/原子

-57.01501

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-57.0150

eV/atom

体积/原子

29.53

Å³

c/a 比

0.6844

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0007

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1679

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.7102

J/mol·K

Ω 参数

9.6278

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.112%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3458

越小混合越稳定

VEC

3.056

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.497

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8425

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgnss

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3313562

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10Sn3Ge2Bi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3313562, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10Sn3Ge2Bi3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.64339304
_cell_length_b   9.64339273
_cell_length_c   6.59955296
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999763
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10Sn3Ge2Bi3
_chemical_formula_sum   'Th10 Sn3 Ge2 Bi3'
_cell_volume   531.50197454
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.00000000  0.74013022  0.75000000  1.0
  Th  Th1  1  0.25986978  0.25986978  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.33333300  0.66666700  0.49616167  1.0
  Th  Th3  1  0.66666700  0.33333300  0.49616167  1.0
  Th  Th4  1  0.74096115  0.74096115  0.25000000  1.0
  Th  Th5  1  0.74013022  0.00000000  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  1.00000000  0.25903885  0.25000000  1.0
  Th  Th7  1  0.25903885  1.00000000  0.25000000  1.0
  Th  Th8  1  0.33333300  0.66666700  0.00383833  1.0
  Th  Th9  1  0.66666700  0.33333300  0.00383833  1.0
  Sn  Sn10  1  0.61142726  1.00000000  0.25000000  1.0
  Sn  Sn11  1  0.38857274  0.38857274  0.25000000  1.0
  Sn  Sn12  1  1.00000000  0.61142726  0.25000000  1.0
  Ge  Ge13  1  0.00000000  0.00000000  0.99783087  1.0
  Ge  Ge14  1  0.00000000  0.00000000  0.50216913  1.0
  Bi  Bi15  1  0.61026546  0.61026546  0.75000000  1.0
  Bi  Bi16  1  0.00000000  0.38973454  0.75000000  1.0
  Bi  Bi17  1  0.38973454  0.00000000  0.75000000  1.0

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