Th10GaSn6Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3314511 · 空间群: P-31m (#162)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10GaSn6Ge

MP-ID

mp-3314511

元素数

位点数

密度

10.0334

g/cm³

体积

525.47

Å³

晶胞参数 a

9.6116

晶胞参数 b

9.6116

晶胞参数 c

6.5679

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-31m

点群

-3m

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
18.46	4.8058	3.5	(2,-1,-1,0)
21.35	4.1619	10.9	(2,0,-2,0)
22.93	3.8784	5.4	(1,-2,1,1)
22.93	3.8784	10.9	(2,-1,-1,1)
27.15	3.2840	12.2	(0,0,0,2)
28.37	3.1461	24.4	(3,-1,-2,0)
28.37	3.1461	4.9	(2,1,-3,0)
29.23	3.0548	17.4	(1,0,-1,2)
31.53	2.8374	38.1	(2,-3,1,1)
31.53	2.8374	76.2	(3,-1,-2,1)
32.26	2.7746	72.6	(3,-3,0,0)
32.26	2.7746	36.3	(3,0,-3,0)
33.04	2.7114	100.0	(2,-1,-1,2)
33.04	2.7114	50.0	(1,1,-2,2)
34.80	2.5781	1.1	(2,0,-2,2)
37.43	2.4029	1.7	(4,-2,-2,0)
41.46	2.1780	9.4	(4,-3,-1,1)
41.46	2.1780	4.7	(4,-1,-3,1)
43.49	2.0810	2.0	(4,-4,0,0)
43.49	2.0810	4.0	(4,0,-4,0)
45.53	1.9923	2.8	(2,-1,-1,3)
46.85	1.9392	45.2	(4,-2,-2,2)
47.62	1.9096	1.8	(5,-2,-3,0)
48.18	1.8886	5.2	(4,-3,-1,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.70598

eV/atom

能量/原子

-51.18067

eV/atom

凸包距离

0.0014

eV/atom

未修正能量

-51.1807

eV/atom

体积/原子

29.19

Å³

c/a 比

0.6833

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.1809

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000340

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0139

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.4296

J/mol·K

Ω 参数

11.2398

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.011%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3238

越小混合越稳定

VEC

2.833

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.071

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7314

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgpdf

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3314511

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10GaSn6Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3314511, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10GaSn6Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.61155019
_cell_length_b   9.61155190
_cell_length_c   6.56793516
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000788
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10GaSn6Ge
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga1 Sn6 Ge1'
_cell_volume   525.46816137
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.73780343  0.73780343  0.75260062  1.0
  Th  Th1  1  0.26219657  0.00000000  0.75260062  1.0
  Th  Th2  1  0.00000000  0.26219657  0.75260062  1.0
  Th  Th3  1  0.26219657  0.26219657  0.24739938  1.0
  Th  Th4  1  0.73780343  0.00000000  0.24739938  1.0
  Th  Th5  1  0.00000000  0.73780343  0.24739938  1.0
  Th  Th6  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Th  Th7  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Th  Th8  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Th  Th9  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Sn  Sn11  1  0.38572397  0.38572397  0.74826844  1.0
  Sn  Sn12  1  0.61427603  0.00000000  0.74826844  1.0
  Sn  Sn13  1  0.00000000  0.61427603  0.74826844  1.0
  Sn  Sn14  1  0.61427603  0.61427603  0.25173156  1.0
  Sn  Sn15  1  0.38572397  1.00000000  0.25173156  1.0
  Sn  Sn16  1  0.00000000  0.38572397  0.25173156  1.0
  Ge  Ge17  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0

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