Ce2Th3SiSn3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3314652 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ce2Th3SiSn3

MP-ID

mp-3314652

元素数

位点数

密度

8.6970

g/cm³

体积

519.55

Å³

晶胞参数 a

9.6295

晶胞参数 b

9.6295

晶胞参数 c

6.4698

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mcm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
18.43	4.8148	2.2	(2,-1,-1,0)
21.31	4.1697	5.6	(2,0,-2,0)
23.03	3.8626	3.8	(1,-2,1,1)
23.03	3.8626	7.5	(2,-1,-1,1)
27.57	3.2349	18.6	(0,0,0,2)
28.31	3.1520	7.1	(2,-3,1,0)
28.31	3.1520	14.3	(3,-1,-2,0)
29.62	3.0159	11.4	(1,0,-1,2)
31.57	2.8336	100.0	(3,-1,-2,1)
32.20	2.7798	49.0	(3,0,-3,0)
33.37	2.6851	66.6	(2,-1,-1,2)
39.94	2.2575	1.8	(3,-1,-2,2)
39.96	2.2562	1.4	(4,-2,-2,1)
41.46	2.1779	9.6	(4,-1,-3,1)
42.90	2.1083	3.0	(3,0,-3,2)
43.40	2.0849	6.4	(4,0,-4,0)
46.12	1.9682	1.9	(2,-1,-1,3)
47.05	1.9313	18.5	(4,-2,-2,2)
47.53	1.9132	1.2	(5,-2,-3,0)
48.38	1.8815	3.8	(4,-1,-3,2)
49.69	1.8347	20.7	(5,-2,-3,1)
50.13	1.8198	6.2	(5,-1,-4,0)
51.33	1.7799	26.5	(3,-1,-2,3)
52.20	1.7524	11.3	(4,-4,0,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.75467

eV/atom

能量/原子

-41.32349

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-41.3235

eV/atom

体积/原子

28.86

Å³

c/a 比

0.6719

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

7.8799

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.015170

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.333

元素家族

Actinide

溶质分数

0.667

间隙分数

0.111

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

1.0240

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

13.391%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3627

越小混合越稳定

VEC

3.111

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-13.815

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgpiq

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3314652

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ce2Th3SiSn3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3314652, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ce2Th3SiSn3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.62949121
_cell_length_b   9.62949184
_cell_length_c   6.46979708
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000127
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ce2Th3SiSn3
_chemical_formula_sum   'Ce4 Th6 Si2 Sn6'
_cell_volume   519.55077457
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ce  Ce0  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Ce  Ce1  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Ce  Ce2  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Ce  Ce3  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Th  Th4  1  0.74411758  0.74411758  0.75000000  1.0
  Th  Th5  1  0.25588242  0.00000000  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  1.00000000  0.25588242  0.75000000  1.0
  Th  Th7  1  0.25588242  0.25588242  0.25000000  1.0
  Th  Th8  1  0.74411758  1.00000000  0.25000000  1.0
  Th  Th9  1  0.00000000  0.74411758  0.25000000  1.0
  Si  Si10  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Si  Si11  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Sn  Sn12  1  0.38859738  0.38859738  0.75000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.61140262  1.00000000  0.75000000  1.0
  Sn  Sn14  1  0.00000000  0.61140262  0.75000000  1.0
  Sn  Sn15  1  0.61140262  0.61140262  0.25000000  1.0
  Sn  Sn16  1  0.38859738  0.00000000  0.25000000  1.0
  Sn  Sn17  1  1.00000000  0.38859738  0.25000000  1.0

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