Th2Si5TcIr2
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3314801 · 空间群: Ibam (#72)
基础信息
化学式
Th2Si5TcIr2
MP-ID
mp-3314801
元素数
4
位点数
20
密度
10.3491
g/cm³
体积
348.80
ų
晶胞参数 a
8.2329
Å
晶胞参数 b
8.2363
Å
晶胞参数 c
8.2346
Å
α 角
137.04
°
β 角
106.42
°
γ 角
89.18
°
空间群
Ibam
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 11.72 | 7.5499 | 16.8 | (0,1,-1) |
| 11.73 | 7.5468 | 16.7 | (1,0,0) |
| 17.99 | 4.9312 | 27.5 | (1,-1,1) |
| 22.99 | 3.8685 | 9.2 | (0,2,-1) |
| 23.00 | 3.8675 | 9.1 | (1,1,-2) |
| 23.00 | 3.8673 | 9.1 | (2,0,-1) |
| 23.00 | 3.8670 | 9.1 | (1,1,0) |
| 23.57 | 3.7749 | 2.0 | (0,2,-2) |
| 23.58 | 3.7734 | 2.1 | (2,0,0) |
| 24.49 | 3.6348 | 32.8 | (1,2,-2) |
| 24.50 | 3.6338 | 32.8 | (2,1,-1) |
| 24.52 | 3.6311 | 12.8 | (1,-2,1) |
| 24.52 | 3.6303 | 12.7 | (2,-1,0) |
| 24.52 | 3.6298 | 12.7 | (0,1,-2) |
| 24.53 | 3.6293 | 12.7 | (1,0,1) |
| 28.19 | 3.1658 | 14.7 | (1,-2,2) |
| 28.19 | 3.1652 | 14.7 | (2,-1,1) |
| 29.62 | 3.0155 | 100.0 | (1,-1,-1) |
| 30.49 | 2.9321 | 86.3 | (2,2,-2) |
| 31.95 | 2.8007 | 11.8 | (1,-2,0) |
| 31.96 | 2.8004 | 11.9 | (2,-1,-1) |
| 31.96 | 2.8001 | 11.9 | (1,0,-2) |
| 31.96 | 2.8001 | 11.8 | (0,1,1) |
| 33.41 | 2.6818 | 3.4 | (0,2,0) |
能量属性
形成能/原子
-0.99600
eV/atom
能量/原子
-33.14627
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-33.1463
eV/atom
体积/原子
17.44
ų
c/a 比
1.0002
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0220
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000060
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.500
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2206
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.1481
J/mol·K
Ω 参数
5.7695
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.615%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2939
越小混合越稳定
VEC
4.700
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.619
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8805
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3314801
参考引用
The crystal structure and related material properties of Th2Si5TcIr2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3314801, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th2Si5TcIr2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 8.23292793
_cell_length_b 8.23625547
_cell_length_c 8.23456226
_cell_angle_alpha 137.04138871
_cell_angle_beta 106.41673386
_cell_angle_gamma 89.18277424
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Th2Si5TcIr2
_chemical_formula_sum 'Th4 Si10 Tc2 Ir4'
_cell_volume 348.80364064
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Th Th0 1 0.86329124 0.62754114 0.23571296 1.0
Th Th1 1 0.13671245 0.37246003 0.76429153 1.0
Th Th2 1 0.39200492 0.12765096 0.26446894 1.0
Th Th3 1 0.60799061 0.87234743 0.73552598 1.0
Si Si4 1 0.50007047 0.74995971 0.25009136 1.0
Si Si5 1 0.49992714 0.25003801 0.74990819 1.0
Si Si6 1 0.22692143 0.97690326 0.75003924 1.0
Si Si7 1 0.77291559 0.52295186 0.74985816 1.0
Si Si8 1 0.77307965 0.02309762 0.24996069 1.0
Si Si9 1 0.22708513 0.47704870 0.25014216 1.0
Si Si10 1 0.04057682 0.89385018 0.14655301 1.0
Si Si11 1 0.95942449 0.10615094 0.85344909 1.0
Si Si12 1 0.74728193 0.39415684 0.35358506 1.0
Si Si13 1 0.25271670 0.60584242 0.64641273 1.0
Tc Tc14 1 0.00008034 0.75020203 0.75008513 1.0
Tc Tc15 1 0.99992359 0.24980072 0.24991631 1.0
Ir Ir16 1 0.24638239 0.85959823 0.38660629 1.0
Ir Ir17 1 0.75361811 0.14040054 0.61339430 1.0
Ir Ir18 1 0.47303571 0.35952971 0.11301641 1.0
Ir Ir19 1 0.52696229 0.64046970 0.88698249 1.0
