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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm2GaSi4Rh3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3315047 · 空间群: C2/c (#15)

Materials Project API

基础信息

化学式
Tm2GaSi4Rh3
MP-ID
mp-3315047
元素数
4
位点数
20
密度
8.4908
g/cm³
体积
324.12
ų
晶胞参数 a
8.1045
Å
晶胞参数 b
8.1045
Å
晶胞参数 c
5.5971
Å
α 角
71.56
°
β 角
71.56
°
γ 角
94.62
°
空间群
C2/c
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
2θd (Å)Ihkl
11.75 7.5319 1.1 (1,0,0)
18.25 4.8604 2.0 (1,1,0)
23.36 3.8075 7.6 (1,-1,1)
23.36 3.8075 7.6 (1,-1,-1)
23.62 3.7660 3.8 (2,0,0)
23.97 3.7131 32.6 (2,0,1)
24.21 3.6764 31.1 (2,-1,0)
24.84 3.5848 1.8 (1,0,-1)
25.97 3.4315 4.8 (2,1,1)
27.55 3.2376 2.5 (2,-1,1)
28.55 3.1267 17.0 (2,1,0)
30.00 2.9786 35.5 (2,-2,0)
32.02 2.7953 25.8 (1,1,2)
32.81 2.7300 2.6 (2,-1,-1)
33.78 2.6532 6.9 (1,0,2)
34.64 2.5892 24.0 (2,1,2)
34.75 2.5812 43.5 (0,2,-1)
34.75 2.5812 43.5 (2,0,-1)
35.34 2.5396 78.2 (3,-1,0)
35.47 2.5305 2.8 (2,0,2)
35.58 2.5232 6.0 (3,-1,1)
35.76 2.5106 4.0 (3,0,0)
36.01 2.4942 85.7 (3,1,1)
36.29 2.4753 61.2 (0,0,2)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-1.01015
eV/atom
能量/原子
-19.92901
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.9290
eV/atom
体积/原子
16.21
ų
c/a 比
0.6906

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2799
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.6407
J/mol·K
Ω 参数
2.7705
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.649%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3578
越小混合越稳定
VEC
7.200
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.682
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9232
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）
aaahgpxv

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3315047
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm2GaSi4Rh3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3315047, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据 
# generated using pymatgen
data_Tm2GaSi4Rh3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.10453244
_cell_length_b   8.10453259
_cell_length_c   5.59708090
_cell_angle_alpha   71.55893251
_cell_angle_beta   71.55893038
_cell_angle_gamma   94.62016851
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm2GaSi4Rh3
_chemical_formula_sum   'Tm4 Ga2 Si8 Rh6'
_cell_volume   324.11683661
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.86688514  0.59692058  0.75865526  1.0
  Tm  Tm1  1  0.13311486  0.40307942  0.24134474  1.0
  Tm  Tm2  1  0.40307942  0.13311486  0.74134474  1.0
  Tm  Tm3  1  0.59692058  0.86688514  0.25865526  1.0
  Ga  Ga4  1  0.77755597  0.22244403  0.75000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.22244403  0.77755597  0.25000000  1.0
  Si  Si6  1  0.51433417  0.48566583  0.75000000  1.0
  Si  Si7  1  0.48566583  0.51433417  0.25000000  1.0
  Si  Si8  1  0.21144068  0.78855932  0.75000000  1.0
  Si  Si9  1  0.78855932  0.21144068  0.25000000  1.0
  Si  Si10  1  0.26483425  0.06207795  0.33895985  1.0
  Si  Si11  1  0.73516575  0.93792205  0.66104015  1.0
  Si  Si12  1  0.93792205  0.73516575  0.16104015  1.0
  Si  Si13  1  0.06207795  0.26483425  0.83895985  1.0
  Rh  Rh14  1  0.53552604  0.26174040  0.13705528  1.0
  Rh  Rh15  1  0.73825960  0.46447396  0.36294472  1.0
  Rh  Rh16  1  0.46447396  0.73825960  0.86294472  1.0
  Rh  Rh17  1  0.26174040  0.53552604  0.63705528  1.0
  Rh  Rh18  1  0.99341168  0.00658832  0.25000000  1.0
  Rh  Rh19  1  0.00658832  0.99341168  0.75000000  1.0
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