Ti3V2Ga3N

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3315089 · 空间群: P6_3/mcm (#193)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ti3V2Ga3N

MP-ID

mp-3315089

元素数

位点数

密度

6.3555

g/cm³

体积

244.90

Å³

晶胞参数 a

7.4453

晶胞参数 b

7.4453

晶胞参数 c

5.1014

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mcm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.73	6.4478	8.4	(1,0,-1,0)
27.67	3.2239	3.3	(2,0,-2,0)
27.67	3.2239	6.7	(2,-2,0,0)
29.71	3.0071	19.8	(2,-1,-1,1)
35.18	2.5507	33.1	(0,0,0,2)
36.88	2.4371	26.0	(3,-1,-2,0)
36.88	2.4371	13.0	(2,-3,1,0)
37.93	2.3719	5.6	(1,0,-1,2)
41.05	2.1990	85.1	(3,-1,-2,1)
41.05	2.1990	85.1	(2,-3,1,1)
42.04	2.1493	13.8	(3,0,-3,0)
42.04	2.1493	27.7	(3,-3,0,0)
42.99	2.1042	100.0	(2,-1,-1,2)
45.34	2.0003	27.5	(2,0,-2,2)
48.94	1.8613	2.6	(4,-2,-2,0)
48.94	1.8613	1.3	(2,-4,2,0)
51.07	1.7883	4.5	(4,-1,-3,0)
51.07	1.7883	4.5	(4,-3,-1,0)
51.07	1.7883	4.5	(3,-4,1,0)
51.89	1.7621	2.4	(3,-1,-2,2)
51.89	1.7621	1.2	(2,-3,1,2)
52.32	1.7486	10.5	(4,-2,-2,1)
52.32	1.7486	5.3	(2,-4,2,1)
54.36	1.6876	11.9	(4,-1,-3,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.81431

eV/atom

能量/原子

-13.08648

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-13.0865

eV/atom

体积/原子

13.61

Å³

c/a 比

0.6852

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

1.3653

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.005570

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ti · 0.333

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.111

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.3108

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.8979

J/mol·K

Ω 参数

0.2927

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

15.875%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.4467

越小混合越稳定

VEC

4.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-46.168

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9455

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgpzl

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3315089

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ti3V2Ga3N were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3315089, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ti3V2Ga3N
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.44531879
_cell_length_b   7.44531720
_cell_length_c   5.10140153
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999404
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ti3V2Ga3N
_chemical_formula_sum   'Ti6 V4 Ga6 N2'
_cell_volume   244.89880648
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ti  Ti0  1  0.22666849  1.00000000  0.75000000  1.0
  Ti  Ti1  1  0.77333151  0.00000000  0.25000000  1.0
  Ti  Ti2  1  0.00000000  0.22666849  0.75000000  1.0
  Ti  Ti3  1  1.00000000  0.77333151  0.25000000  1.0
  Ti  Ti4  1  0.77333151  0.77333151  0.75000000  1.0
  Ti  Ti5  1  0.22666849  0.22666849  0.25000000  1.0
  V  V6  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  V  V7  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  V  V8  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  V  V9  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.58873160  0.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.41126840  1.00000000  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  1.00000000  0.58873160  0.75000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.00000000  0.41126840  0.25000000  1.0
  Ga  Ga14  1  0.41126840  0.41126840  0.75000000  1.0
  Ga  Ga15  1  0.58873160  0.58873160  0.25000000  1.0
  N  N16  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  N  N17  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0

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