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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th2Si4GeRh3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3315449 · 空间群: Ibam (#72)

Materials Project API

基础信息

化学式
Th2Si4GeRh3
MP-ID
mp-3315449
元素数
4
位点数
20
密度
9.1131
g/cm³
体积
349.04
ų
晶胞参数 a
8.2495
Å
晶胞参数 b
8.2495
Å
晶胞参数 c
8.2495
Å
α 角
137.46
°
β 角
105.80
°
γ 角
89.48
°
空间群
Ibam
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
2θd (Å)Ihkl
11.67 7.5860 6.8 (1,0,0)
15.12 5.8599 1.3 (1,1,-1)
17.83 4.9760 10.2 (1,-1,1)
23.04 3.8595 47.9 (2,0,-1)
23.45 3.7930 8.3 (2,0,0)
24.47 3.6374 1.1 (2,-1,0)
24.47 3.6374 1.1 (1,0,1)
24.48 3.6365 9.8 (2,1,-1)
27.95 3.1919 6.8 (2,-1,1)
29.86 2.9926 22.2 (1,-1,-1)
30.51 2.9300 19.0 (2,2,-2)
32.15 2.7838 1.7 (2,-1,-1)
32.15 2.7838 5.2 (1,0,-2)
33.63 2.6652 2.9 (2,0,-2)
33.63 2.6652 2.9 (0,2,0)
34.49 2.6002 100.0 (3,-1,0)
34.99 2.5645 57.0 (2,-2,0)
35.50 2.5287 4.8 (3,0,0)
35.56 2.5248 52.0 (3,1,-1)
36.10 2.4880 9.0 (2,-2,2)
38.31 2.3494 2.0 (3,-1,-1)
38.98 2.3107 2.6 (3,0,-2)
38.98 2.3107 2.6 (1,2,0)
39.34 2.2901 1.6 (3,-1,1)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-1.00631
eV/atom
能量/原子
-27.83894
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.8389
eV/atom
体积/原子
17.45
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0341
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000100
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2799
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.6407
J/mol·K
Ω 参数
5.0681
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.223%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3413
越小混合越稳定
VEC
5.100
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.968
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9232
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）
aaahgqnh

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3315449
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2Si4GeRh3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3315449, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据 
# generated using pymatgen
data_Th2Si4GeRh3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.24952719
_cell_length_b   8.24952562
_cell_length_c   8.24952654
_cell_angle_alpha   137.46088302
_cell_angle_beta   105.80325313
_cell_angle_gamma   89.47569524
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2Si4GeRh3
_chemical_formula_sum   'Th4 Si8 Ge2 Rh6'
_cell_volume   349.04036501
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.86373194  0.63171461  0.23201932  1.0
  Th  Th1  1  0.13626806  0.36828539  0.76798068  1.0
  Th  Th2  1  0.39969529  0.13171461  0.26798068  1.0
  Th  Th3  1  0.60030471  0.86828539  0.73201932  1.0
  Si  Si4  1  0.22488373  0.97488373  0.75000000  1.0
  Si  Si5  1  0.77511627  0.52511627  0.75000000  1.0
  Si  Si6  1  0.77511627  0.02511627  0.25000000  1.0
  Si  Si7  1  0.22488373  0.47488373  0.25000000  1.0
  Si  Si8  1  0.04072368  0.89226801  0.14845667  1.0
  Si  Si9  1  0.95927632  0.10773199  0.85154333  1.0
  Si  Si10  1  0.74381034  0.39226801  0.35154333  1.0
  Si  Si11  1  0.25618966  0.60773199  0.64845667  1.0
  Ge  Ge12  1  0.50000000  0.75000000  0.25000000  1.0
  Ge  Ge13  1  0.50000000  0.25000000  0.75000000  1.0
  Rh  Rh14  1  0.00000000  0.75000000  0.75000000  1.0
  Rh  Rh15  1  0.00000000  0.25000000  0.25000000  1.0
  Rh  Rh16  1  0.24155594  0.85628322  0.38527273  1.0
  Rh  Rh17  1  0.75844406  0.14371678  0.61472727  1.0
  Rh  Rh18  1  0.47101149  0.35628322  0.11472727  1.0
  Rh  Rh19  1  0.52898851  0.64371678  0.88527273  1.0
获取直接链接