Th10Ga2(SnBi)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3315742 · 空间群: P-62m (#189)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th10Ga2(SnBi)3

MP-ID

mp-3315742

元素数

位点数

密度

10.7503

g/cm³

体积

531.80

Å³

晶胞参数 a

9.6545

晶胞参数 b

9.6545

晶胞参数 c

6.5881

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-62m

点群

-6m2

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
13.44	6.5881	1.7	(0,0,0,1)
18.38	4.8273	2.2	(2,-1,-1,0)
21.25	4.1805	3.5	(2,0,-2,0)
22.84	3.8939	3.6	(2,-1,-1,1)
27.07	3.2941	11.2	(0,0,0,2)
28.24	3.1602	18.4	(3,-1,-2,0)
29.14	3.0648	5.9	(1,-1,0,2)
29.14	3.0648	2.9	(1,0,-1,2)
31.40	2.8493	67.8	(3,-1,-2,1)
31.40	2.8493	13.6	(2,1,-3,1)
32.12	2.7870	49.4	(3,-3,0,0)
32.12	2.7870	24.7	(3,0,-3,0)
32.92	2.7209	100.0	(2,-1,-1,2)
34.67	2.5874	1.8	(2,0,-2,2)
38.83	2.3189	1.0	(4,-1,-3,0)
41.27	2.1874	6.9	(4,-3,-1,1)
41.27	2.1874	6.9	(4,-1,-3,1)
43.29	2.0903	1.9	(4,-4,0,0)
46.65	1.9469	28.5	(4,-2,-2,2)
47.98	1.8962	1.1	(3,-4,1,2)
47.98	1.8962	2.3	(4,-1,-3,2)
49.49	1.8417	5.6	(3,-5,2,1)
49.49	1.8417	11.2	(5,-2,-3,1)
49.99	1.8245	5.4	(5,-4,-1,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.68814

eV/atom

能量/原子

-56.65389

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-56.6539

eV/atom

体积/原子

29.54

Å³

c/a 比

0.6824

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0022

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Th · 0.556

元素家族

Actinide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1679

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.7102

J/mol·K

Ω 参数

26.6425

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

9.637%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3252

越小混合越稳定

VEC

2.944

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.504

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8425

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahgqyo

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3315742

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th10Ga2(SnBi)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3315742, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th10Ga2(SnBi)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.65449269
_cell_length_b   9.65449358
_cell_length_c   6.58812151
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000723
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th10Ga2(SnBi)3
_chemical_formula_sum   'Th10 Ga2 Sn3 Bi3'
_cell_volume   531.80345721
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.73864840  0.73864840  0.75000000  1.0
  Th  Th1  1  0.26135160  0.00000000  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.00000000  0.26135160  0.75000000  1.0
  Th  Th3  1  0.26197628  0.26197628  0.25000000  1.0
  Th  Th4  1  0.73802372  1.00000000  0.25000000  1.0
  Th  Th5  1  1.00000000  0.73802372  0.25000000  1.0
  Th  Th6  1  0.66666700  0.33333300  0.00413253  1.0
  Th  Th7  1  0.33333300  0.66666700  0.00413253  1.0
  Th  Th8  1  0.33333300  0.66666700  0.49586747  1.0
  Th  Th9  1  0.66666700  0.33333300  0.49586747  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.00000000  0.99993347  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00000000  0.00000000  0.50006653  1.0
  Sn  Sn12  1  0.61456549  0.61456549  0.25000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.38543451  1.00000000  0.25000000  1.0
  Sn  Sn14  1  1.00000000  0.38543451  0.25000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.38717280  0.38717280  0.75000000  1.0
  Bi  Bi16  1  0.61282720  0.00000000  0.75000000  1.0
  Bi  Bi17  1  0.00000000  0.61282720  0.75000000  1.0

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